Полупроводниковый триод S8050 (SS8050) относится к категории биполярных кремниевых транзисторов средней мощности, выполненных по структуре NPN. В качестве комплементарной пары рекомендуется элемент S8550 обратной структуры.
Особенности транзистора S8050
К особенностям транзистора S8050 в первую очередь надо отнести высокие значения тока коллектора и рассеиваемой мощности. Эти параметры не характерны для триодов в миниатюрном корпусе TO-92. Очевидно, что при упаковке в иной кейс, например, TO-126 (аналог отечественного КТ-27), с более эффективным теплоотводом, мощностные характеристики удалось бы значительно улучшить. Однако разработчики пожертвовали этой возможностью, очевидно, в пользу миниатюрности габаритов.
Производитель в разделе Features в даташите не оговаривает еще одно достоинство транзистора – неплохую линейность статического коэффициента передачи тока в большом диапазоне изменения тока коллектора. Однако в datasheet приводится график зависимости h21э от Ic, из которого эта линейность вполне очевидна.
Зависимость h21э от тока коллектора
Параметры SS8050
Характеристики транзистора SS8050, размещенные в таблице, соответствуют температуре окружающей среды +25 град.С. Если условия замеров отличались, это оговаривается отдельно.
| Предельные параметры | |||
|---|---|---|---|
| Характеристика | Значение | Размерность | |
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) | 25 | вольт | |
| Разность потенциалов коллектор-база (Vcbo) | 40 | вольт | |
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) | 6 | вольт | |
| Ток коллектора (Ic) | 1,5 | ампер | |
| Расеиваемая мощность коллектора (Pс) | 1 | ватт | |
| Температура перехода Tj | 150 | град.С | |
| Электрические характеристики | |||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия измерения |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVcbo) | не менее 40 | вольт | Ic=100 мкА,
Ie=0 |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVceo) | не менее 25 | вольт | Ic=2 мА,
Ib=0 |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVebo) | не менее 6 | вольт | Ie=100 мкА,
Ic=0 |
| Ток утечки коллектора при нулевом токе эмиттера (Icbo) | не более 100 | наноампер | Vcb=35 В,
Ie=0 |
| Ток утечки эмиттера (Iebo) | не более 100 | наноампер | Veb=6 В,
Iс=0 |
| Ток утечки коллектора при нулевом токе базы (Iceo) | наноампер | Vce=20 В,
Ib=0 |
|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | не более 0,5 (типовое значение 0,28) | вольт | Iс=800 мА,
Ib=80 мА |
| Падение напряжения на эмиттерном переходе Vbe(on) | не более 1 (типовое значение 0,66) | вольт | Vce=1 В,
Iс=10 мА |
| Выходная емкость | 9 (типовое значение) | пикофарад | Vcb=10 В,
Ie=0, f=1 МГц |
| Частота единичного усиления | не менее 100 (типовое значение 190) | мегагерц | Vce=10 В,
Iс=50 мА |
При повышении температуры окружающей среды выше +25 град.С, допустимая рассеиваемая мощность уменьшается на 8 милливатт на каждый градус превышения.
По статическому коэффициенту передачи тока производится заводская разбраковка транзисторов. По ее результатам триодам присваивается дополнительный буквенный индекс.
| hFE | B | C | D |
| Буквенный индекс | 85~160 | 120~200 | 160~300 |
Модификации, варианты корпуса, цоколевка и маркировка
Триод SS8050 встречается в двух вариантах исполнения:
- выводной корпус TO-92 для монтажа through hole;
- кейс SOT-23 для поверхностного монтажа.
Оба варианта содержат три вывода, характерных для биполярных триодов (базу, коллектор и эмиттер). У выводного варианта выводы проволочные гибкие, у SMD-модификации – жесткие площадки.
Варианты корпуса и цоколевка транзистора SS8050
У корпуса для поверхностного монтажа условия для отвода тепла от внутренних структур менее эффективные. По этой причине предельная рассеиваемая мощность коллектора у транзистора в таком исполнении снижена в три раза – 0,3 ватта против 1 ватта у триода в выводной модификации. Остальные параметры, включая ток коллектора, у обоих исполнений аналогичные.
Транзистор в выводном корпусе маркируется полным или сокращенным названием прибора. Для SMD-исполнения чаще применяется обозначение J3Y, но у некоторых производителей кодировка может быть иной.
Маркировка триода в SMD-исполнении
Варианты замены
Относительно прямой заменой для SS8050 может служить транзистор MPSW01AG. Он способен рассеивать равную мощность, способен работать при более высоких напряжениях, но предельный ток коллектора у него составляет всего лишь 1 ампер против 1,5 у S8050.
Еще меньше ток коллектора допускается у близких зарубежных аналогов:
- 2N5830;
- S9013;
- S9014;
- 2N5551;
- MPS6602.
Однако во многих случаях подойдут и они – надо лишь изучить даташит и условия работы заменяемого триода. Эти транзисторы выпускаются в корпусе TO-92, но распиновка у них может отличаться.
Надо учитывать, что ток коллектора до 1,5 ампер у триода SS8050 декларируют лишь известные производители электроники. Чаще всего встречаются недорогие реплики из Юго-Восточной Азии. У них этот параметр даже в даташите указан меньшим – в лучшем случае 1 ампер. По факту ток коллектора может быть еще меньше, поэтому в большинстве ситуаций подойдут и более слаботочные аналоги. 
Транзистор КТ815 имеет близкие параметры, но отличающийся корпус
Полным российским аналогом SS8050 считается КТ698В, допускающий ток коллектора до 2 ампер. Можно применять более доступный КТ815, но он в другом корпусе. Если SS8050 в конкретной схеме работает в облегченном режиме, могут подойти отечественные приборы КТ3102, КТ502 или даже КТ315 (КТ312).
Схема управления электродвигателем от микроконтроллера с помощью триода SS8050 в качестве ключа
Триод SS8050 определен разработчиком для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты компактной радиоаппаратуры (выход для наушников или небольших динамиков). В паре с S8550 можно строить довольно мощные каскады по двухтактному принципу. Но нет никаких принципиальных ограничений по другому применению прибора, характерному для биполярных транзисторов (в ключевом или линейном режиме). Главное – не выходить за пределы характеристик.
Вам также может понравиться