На какие аналоги заменить транзистор 2N5551

Полупроводниковый триод 2N5551 относится к категории маломощных биполярных кремниевых высокочастотных транзисторов структуры NPN. Совместно с элементом 2N5401 образует комплементарную пару.

Особенности транзистора 2N5551

Производители не выделяют каких-либо особенностей транзистора, обычно описываемых в разделе Features в datasheet. Для 2N5551 эта рубрика содержит общие фразы или экологические характеристики – отсутствие вредных веществ. Однако при изучении параметров обращают на себя внимание достаточно высокие значения рабочего напряжения, тока коллектора и неплохая мощность рассеяния.

Достоинствами прибора также являются низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер и приличный коэффициент усиления.

Параметры полупроводникового прибора

Характеристики транзистора 2N5551, сведенные в таблицу, соответствуют температуре окружающей среды +25 град.С. Если условия тестирования отличаются, это оговаривается отдельно.

Предельные характеристики
ПараметрЗначениеРазмерность
Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo)160вольт
Разность потенциалов коллектор-база(Vcbo)180вольт
Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo)6вольт
Ток коллектора (Ic), продолжительный600миллиампер
Мощность, рассеиваемая на коллекторе625милливатт
Диапазон хранения и эксплуатацииминус 55..+150град.С
Предельная температура перехода+150град.С
Электрические характеристики
ПараметрЗначениеРазмерностьУсловия тестирования
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat))до 0,15вольтIc=10 mA,

Ib=1 mA

до 0,2вольтIc=50 mA,

Ib=5 mA

Напряжение насыщения база-эмиттер (Vbe(sat))до 1вольтIc=10 mA,

Ib=1 mA

Ic=50 mA,

Ib=5 mA

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vbr(ceo))не менее 160вольтIc = 1 mA,

Ib = 0

Напряжение пробоя коллектор-база(Vbr(cbo))не менее 180вольтIc = 100 uA,

Ie = 0

Напряжение пробоя эмиттер-база (Vbr(ebo))не менее 6вольтIe = 10 uA,

Ic = 0

Обратный ток эмиттера (Iebo)не более 50наноамперVeb = 4.0 V, Ic = 0
Обратный ток коллектора (Icbo)не более 50наноамперVcb = 120 V, Ie = 0
не более 50микроамперVcb = 120 V, Ie = 0, Тос=100 град.С
Статический коэффициент передачи тока80..250Iс = 10 mA,

Vce = 5 V

Входная емкость (Cib)не более 20пикофарадVbe = 0,5 V,

Ic = 0,

f = 1 MHz

Выходная емкость (Cob)не более 6пикофарадVcb = 10 V,

Ie = 0,

f = 1 MHz

Предельная рабочая частотане менее 100 (до 300)мегагерцIс = 10 mA,

Vce = 10 V,

f = 100 MHz

Коэффициент шума (NF)не более 8децибелIс = 250 A, Vce = 5.0 V, Rs = 1.0 kΩ,

f от 10 Hz до 15.7 kHz

При повышении температуры корпуса свыше +25 град.С, предельно допустимая рассеиваемая мощность снижается на 5 милливатт на каждый градус превышения.

Варианты корпуса, цоколевка и маркировка

Транзистор 2N5551 выпускается в двух вариантах корпуса:

  • TO-92 для монтажа в отверстия печатной платы (through hole);
  • SOT-23 для поверхностного монтажа.

В любом исполнении кейс оснащен тремя выводами (база, коллектор и эмиттер). У корпуса TO-92 выводы проволочные, гибкие, у SMD-варианта – выводы в виде площадок.

На какие аналоги заменить транзистор 2N5551

Транзистор в SMD-корпусе обозначается индексом MMBT5551. На его корпус наносится маркировка 3S. Он имеет аналогичные электрические параметры, за исключением рассеиваемой мощности — она не должна превышать 350 милливатт (против 625 милливатт у выводного варианта), зато снижение мощности при превышении температуры свыше 25 град.С составляет 2,8 милливатт/градус (против 5).

Помимо этого, выводной корпус выпускается в двух модификациях – с прямыми выводами и с изогнутыми. Габариты, электрические характеристики и цоколевка у этих модификаций не отличаются.

Аналоги и варианты замены

Заменить 2N5551 можно зарубежными приборами:

Можно подобрать и другие импортные и отечественные транзисторы малой мощности, обращая в первую очередь на такие параметры, как ток коллектора и допустимые напряжения. Также надо обращать внимание и на распиновку – корпус TO-92 может иметь разное расположение выводов даже у однотипных триодов.

Из российских приборов на замену рекомендуется КТ6117. Однако он встречается реже зарубежных аналогов. В некоторых случаях подойдут КТ503 или КТ3102 – там, где не нужны большие напряжения и токи.

Область применения и практические схемы

В технической документации транзистор обозначается, как прибор общего применения. Его используют для усиления сигналов, а также в качестве электронных ключей. В этом секторе 2N5551 хорошо работает из-за никого напряжения насыщения коллектор-эмиттер, высокого h21э. К месту здесь и способность работать с большими токами и высокими напряжениями.

На какие аналоги заменить транзистор 2N5551
Схема коммутации телефонного узла

Примером такого применения служит схема коммутации разговорного узла мини-АТС. В телефонной линии напряжение может достигать значительных величин, поэтому в качестве VT1 здесь применен триод 2N5551.

На какие аналоги заменить транзистор 2N5551
Схема управления освещением автомобиля

Другой интересный пример использования 2N5551 в ключевом режиме – в схеме управления освещением. Здесь на комплементарной паре построен ключ, сдвигающий уровень напряжения бортсети до значения, приемлемого для управления MOSFET.

Неплохо работает триод и в линейном режиме. Например, в усилителях звуковой частоты. На приведенной схеме на 2N5551 построен входной каскад. Здесь к месту низкий уровень собственных шумов транзистора.

На какие аналоги заменить транзистор 2N5551
УМЗЧ с входным каскадом на 2N5551

В целом же триод можно применять в любой сфере, характерной для данного класса полупроводниковых приборов. Главное – не выходить за установленные производителем предельные параметры.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий