Технические характеристики и аналоги транзистора КТ837

Отечественная линейка мощных биполярных кремниевых полупроводниковых триодов структуры PNP КТ837 разрабатывалась в качестве замены распространенным устаревшим германиевым транзисторам П214/П216. Элементы серии предназначались для использования в низкочастотных электронных устройствах гражданского назначения.

Особенности транзистора КТ837

Технические характеристики и аналоги транзистора КТ837
Устаревший германиевый П214

При анализе данных, приведенных в даташите от производителя, обращают на себя некоторые специфические характеристики прибора. В первую очередь это большой рабочий ток и рассеиваемая мощность (точные цифры приведены в следующем разделе).

Заслуживает внимание и повышенная выдерживаемая разность потенциалов между эмиттером и базой у элементов с индексом А-К. Оно составляет 15 вольт против обычных для кремниевых триодов 5 вольт. В некоторых случаях это важно. Также стоит обратить внимание на корпус TO-220, упрощающий замену зарубежными аналогами.

Из неудачных параметров можно отметить невысокую предельную рабочую температуру — всего +100 градусов С (у большинства приборов она составляет +125 градусов).

Параметры полупроводникового триода

Часть характеристик транзистора КТ837 характерна для всей серии. замеры выполнены при T=25 град.С, если иные условия не указаны дополнительно.

ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Предельные параметры
Наибольший допустимый ток коллектора (Iкmax)7,5ампер
Наибольший допустимый ток базы (Iбmax)1ампер
Предельная рассеиваемая мощность коллектора (Pк max)30ватт
Предельная рабочая температура (Tп max)100град.С
Электрические характеристики
ПараметрУсловия измеренияЗначениеРазмерность
Падение напряжения на переходе база-эмиттерIк=2 А, Iб=300 мАвольт
Обратный ток коллектора( Iкбо)Uкб=80 В для КТ837А-В, Л-Нне превышает 0,15миллиампер
Uкб=60 В для КТ837Г-Е, П-С
Uкб=45 В для КТ837Ж-К, Т-Ф
Обратный ток коллектор-эмиттер (Iкэr) при Rэб=50 ОмUкэ=70 В для КТ837А-В, Л-Нв пределах 10миллиампер
Uкэ=55 В для КТ837Г-Е, П-С
Uкэ=40 В для КТ837Ж-К, Т-Ф
Обратный ток эмиттера (Iэбо)максимальное Uэб для буквенного индексане превышает 0,3миллиампер
Обратный ток коллектор-эмиттер (Iкэo) при Rэб=∞Uкэ=60 В для КТ837А-В, Л-Нне превышает 10миллиампер
Uкэ=45 В для КТ837Г-Е, П-С
Uкэ=30 В для КТ837Ж-К, Т-Ф

Другие предельные параметры определяются дополнительной буквой в обозначении типа прибора:

Тип прибораПредельная допустимая разность потенциалов коллектор-эмиттер, ВПредельная допустимая разность потенциалов коллектор-эмиттер, ВПредельная допустимая разность потенциалов коллектор-база, ВПредельная допустимая разность потенциалов эмиттер-база, В
Rэб=∞Rэб=100 Ом
КТ837А, Б, В60708015
КТ837Г, Д, Е455560
КТ837Ж,И, К304045
КТ837Л, М, Н6070805
КТ837П, Р, С455560
КТ837Т, У, Ф304045

Основные электрические параметры, заявляемые производителем в соответствии с буквенным индексом:

Тип прибораU насыщ коллектор-эмиттер (Uкэ нас), ВСтатический коэффициент передачи тока
Iк=2 А, Iб=300 мА для КТ837Ж, И, К, Т, У, ФПри Uкэ=5В, Iк=2 А
Iк=3 А, Iб=370 мА для остальных
КТ837А2,510 ..40
КТ837Б20..80
КТ837В50..150
КТ837Г0,910 ..40
КТ837Д20..80
КТ837Е50..150
КТ837Ж0,510 ..40
КТ837И20..80
КТ837К50..150
КТ837Л2,510 ..40
КТ837М20..80
КТ837Н50..150
КТ837П0,910 ..40
КТ837Р20..80
КТ837С50..150
КТ837Т0,510 ..40
КТ837У20..80
КТ837Ф50..150

Корпус, цоколевка и маркировка

Уже упоминалось, что транзистор КТ837 «пакуется» в корпус КТ-28, совпадающий по размерам с зарубежным TO-220. Этот кейс имеет три вывода и теплоотводящую пластину, электрически соединенную с коллектором. Цоколевка транзистора стандартная для триодов, выпущенном в подобном корпусе.

Технические характеристики и аналоги транзистора КТ837
Внешний вид и расположение выводов КТ837

В качестве маркировки на корпус наносится тип триода полностью, включая буквенный индекс. На свободном месте может быть размещена иная информация (например, дата выпуска).

Чем заменить триод КТ837

Транзистор КТ837 широко распространен и недефицитен, но найти замену не так-то просто. Из зарубежных транзисторов наиболее близким аналогом служит 2N6111. У него наиболее близкие характеристики и такой же корпус. Если и этот вариант недоступен, придется анализировать схему и подбирать транзистор по даташит. Например, если не требуется ток, близкий к предельному, подойдут 4-хамперные BD225 и BD226. Если не важен корпус, можно установить мощный и высоковольтный 2SD685.

Технические характеристики и аналоги транзистора КТ837
Триод 2SD685 имеет лучшие характеристики, но абсолютно отличающийся корпус

Существует модификация триода КТ837, выпускаемая под названием 2T837 в аналогичном корпусе. Главное отличие – немного повышенный допустимый рабочий ток. Остальные параметры зависят от буквенного индекса, для замены надо изучать характеристики.

Технические характеристики и аналоги транзистора КТ837
Триод 2T837 – улучшенная модификация КТ837

Содержание дорогостоящих металлов

По сведениям производителя, содержание драгметаллов в транзисторе КТ837 нулевое. Выводы прибора золочению не подвергаются. Из цветных металлов каждый триод содержит 1,59 грамм меди в корпусе.

Применение и практические схемы

Сектор применения триода КТ837 сложился с учетом некоторых нюансов, которые неохотно освещаются в даташитах, но их можно найти в ТУ на транзистор:

  • верхний частотный предел прибора составляет около 1 МГц;
  • коэффициент нелинейных искажений, вносимых прибором, не превышает 1%, а типовое значение – не больше 0,3%.

Напрашивается использование транзистора в выходных каскадах мощных усилителей звука.

Мнение эксперта
Становой Алексей
Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.
Задать вопрос
Созданию двухтактных каскадов на КТ837 мешало отсутствие рекомендованной комплементарной пары. Однако коллективный опыт позволил выбрать в этом качестве триод КТ805 (с определенными оговорками, включающими необходимость тщательного подбора по параметрам, включая h21э).
Технические характеристики и аналоги транзистора КТ837
Схема мощного УМЗЧ на комплементарной паре КТ837-КТ805

Можно применять транзистор и в других схемах, например, в качестве мощных ключей. Для этой цели лучше применять элементы КТ837Т-A с низким сопротивлением силовой цепи в открытом состоянии. Возможно и другое использование транзисторов, характерное для полупроводниковых триодов соответствующей структуры и параметров – выбор всегда за разработчиком.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий