Отечественная линейка мощных биполярных кремниевых полупроводниковых триодов структуры PNP КТ837 разрабатывалась в качестве замены распространенным устаревшим германиевым транзисторам П214/П216. Элементы серии предназначались для использования в низкочастотных электронных устройствах гражданского назначения.
Особенности транзистора КТ837
При анализе данных, приведенных в даташите от производителя, обращают на себя некоторые специфические характеристики прибора. В первую очередь это большой рабочий ток и рассеиваемая мощность (точные цифры приведены в следующем разделе).
Заслуживает внимание и повышенная выдерживаемая разность потенциалов между эмиттером и базой у элементов с индексом А-К. Оно составляет 15 вольт против обычных для кремниевых триодов 5 вольт. В некоторых случаях это важно. Также стоит обратить внимание на корпус TO-220, упрощающий замену зарубежными аналогами.
Из неудачных параметров можно отметить невысокую предельную рабочую температуру — всего +100 градусов С (у большинства приборов она составляет +125 градусов).
Параметры полупроводникового триода
Часть характеристик транзистора КТ837 характерна для всей серии. замеры выполнены при T=25 град.С, если иные условия не указаны дополнительно.
| Характеристика | Значение | Размерность | |
|---|---|---|---|
| Предельные параметры | |||
| Наибольший допустимый ток коллектора (Iкmax) | 7,5 | ампер | |
| Наибольший допустимый ток базы (Iбmax) | 1 | ампер | |
| Предельная рассеиваемая мощность коллектора (Pк max) | 30 | ватт | |
| Предельная рабочая температура (Tп max) | 100 | град.С | |
| Электрические характеристики | |||
| Параметр | Условия измерения | Значение | Размерность |
| Падение напряжения на переходе база-эмиттер | Iк=2 А, Iб=300 мА | вольт | |
| Обратный ток коллектора( Iкбо) | Uкб=80 В для КТ837А-В, Л-Н | не превышает 0,15 | миллиампер |
| Uкб=60 В для КТ837Г-Е, П-С | |||
| Uкб=45 В для КТ837Ж-К, Т-Ф | |||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (Iкэr) при Rэб=50 Ом | Uкэ=70 В для КТ837А-В, Л-Н | в пределах 10 | миллиампер |
| Uкэ=55 В для КТ837Г-Е, П-С | |||
| Uкэ=40 В для КТ837Ж-К, Т-Ф | |||
| Обратный ток эмиттера (Iэбо) | максимальное Uэб для буквенного индекса | не превышает 0,3 | миллиампер |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (Iкэo) при Rэб=∞ | Uкэ=60 В для КТ837А-В, Л-Н | не превышает 10 | миллиампер |
| Uкэ=45 В для КТ837Г-Е, П-С | |||
| Uкэ=30 В для КТ837Ж-К, Т-Ф | |||
Другие предельные параметры определяются дополнительной буквой в обозначении типа прибора:
| Тип прибора | Предельная допустимая разность потенциалов коллектор-эмиттер, В | Предельная допустимая разность потенциалов коллектор-эмиттер, В | Предельная допустимая разность потенциалов коллектор-база, В | Предельная допустимая разность потенциалов эмиттер-база, В |
|---|---|---|---|---|
| Rэб=∞ | Rэб=100 Ом | |||
| КТ837А, Б, В | 60 | 70 | 80 | 15 |
| КТ837Г, Д, Е | 45 | 55 | 60 | |
| КТ837Ж,И, К | 30 | 40 | 45 | |
| КТ837Л, М, Н | 60 | 70 | 80 | 5 |
| КТ837П, Р, С | 45 | 55 | 60 | |
| КТ837Т, У, Ф | 30 | 40 | 45 |
Основные электрические параметры, заявляемые производителем в соответствии с буквенным индексом:
| Тип прибора | U насыщ коллектор-эмиттер (Uкэ нас), В | Статический коэффициент передачи тока |
|---|---|---|
| Iк=2 А, Iб=300 мА для КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | При Uкэ=5В, Iк=2 А | |
| Iк=3 А, Iб=370 мА для остальных | ||
| КТ837А | 2,5 | 10 ..40 |
| КТ837Б | 20..80 | |
| КТ837В | 50..150 | |
| КТ837Г | 0,9 | 10 ..40 |
| КТ837Д | 20..80 | |
| КТ837Е | 50..150 | |
| КТ837Ж | 0,5 | 10 ..40 |
| КТ837И | 20..80 | |
| КТ837К | 50..150 | |
| КТ837Л | 2,5 | 10 ..40 |
| КТ837М | 20..80 | |
| КТ837Н | 50..150 | |
| КТ837П | 0,9 | 10 ..40 |
| КТ837Р | 20..80 | |
| КТ837С | 50..150 | |
| КТ837Т | 0,5 | 10 ..40 |
| КТ837У | 20..80 | |
| КТ837Ф | 50..150 |
Корпус, цоколевка и маркировка
Уже упоминалось, что транзистор КТ837 «пакуется» в корпус КТ-28, совпадающий по размерам с зарубежным TO-220. Этот кейс имеет три вывода и теплоотводящую пластину, электрически соединенную с коллектором. Цоколевка транзистора стандартная для триодов, выпущенном в подобном корпусе.
В качестве маркировки на корпус наносится тип триода полностью, включая буквенный индекс. На свободном месте может быть размещена иная информация (например, дата выпуска).
Чем заменить триод КТ837
Транзистор КТ837 широко распространен и недефицитен, но найти замену не так-то просто. Из зарубежных транзисторов наиболее близким аналогом служит 2N6111. У него наиболее близкие характеристики и такой же корпус. Если и этот вариант недоступен, придется анализировать схему и подбирать транзистор по даташит. Например, если не требуется ток, близкий к предельному, подойдут 4-хамперные BD225 и BD226. Если не важен корпус, можно установить мощный и высоковольтный 2SD685.
Существует модификация триода КТ837, выпускаемая под названием 2T837 в аналогичном корпусе. Главное отличие – немного повышенный допустимый рабочий ток. Остальные параметры зависят от буквенного индекса, для замены надо изучать характеристики.
Содержание дорогостоящих металлов
По сведениям производителя, содержание драгметаллов в транзисторе КТ837 нулевое. Выводы прибора золочению не подвергаются. Из цветных металлов каждый триод содержит 1,59 грамм меди в корпусе.
Применение и практические схемы
Сектор применения триода КТ837 сложился с учетом некоторых нюансов, которые неохотно освещаются в даташитах, но их можно найти в ТУ на транзистор:
- верхний частотный предел прибора составляет около 1 МГц;
- коэффициент нелинейных искажений, вносимых прибором, не превышает 1%, а типовое значение – не больше 0,3%.
Напрашивается использование транзистора в выходных каскадах мощных усилителей звука.
Можно применять транзистор и в других схемах, например, в качестве мощных ключей. Для этой цели лучше применять элементы КТ837Т-A с низким сопротивлением силовой цепи в открытом состоянии. Возможно и другое использование транзисторов, характерное для полупроводниковых триодов соответствующей структуры и параметров – выбор всегда за разработчиком.
