Полупроводниковый триод B772 (2SB772) относится к категории биполярных кремниевых транзисторов средней мощности, имеющих структуру PNP. Совместно с элементом 2SD882, выполненным по противоположной структуре, образует комплементарную пару.
Особенности транзистора B772
К особенностям транзистора (они перечислены в рубрике Features в datasheet на триод) производители относят:
- Относительно высокий ток коллектора.
- Низкое значение напряжения насыщения.
При изучении технической спецификации также можно обратить внимание на достаточно высокую рабочую частоту триода, а также на высокие значения коэффициента усиления по току (по этому параметру при производстве производится предварительная группировка элементов) и линейность этой характеристики при различных значениях токов коллектора.
Варианты корпуса, цоколевка и маркировка
Полупроводниковый триод выпускается в трёх вариантах трехвыводного корпуса:
- выводной для монтажа в отверстия и крепления на радиатор с жесткими выводами, допускающими изгиб вперед-назад (SOT-32 или TO-126)
- выводной с гибкими проволочными выводами (TO-92L – удлиненный вариант TO-92);
- для поверхностного монтажа с контактными площадками (SOT-89).
Из всех этих корпусов только SOT-32 позволяет установить триод на внешний теплоотвод, по этой причине остальные исполнения имеют меньшие мощностные возможности. Различия в предельных параметрах сведены в таблицу.
| Вид корпуса | SOT-32 (TO-126) | TO-92L | SOT-89 |
|---|---|---|---|
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт | 12,5 | 0,5 | 0,5 |
| Допустимый ток базы, А | -1 | -0,6 | -1 |
При установке триода на теплоотвод надо иметь в виду, что винт изолировать не надо – отверстие покрыто пластиком. Однако теплоотводящая площадка электрически соединена с коллектором, и потребуется изоляция транзистора от радиатора или радиатора от общего провода готового изделия.
Маркировка (даже для SMD-исполнения) наносится в виде сокращенного наименования прибора – B227. Транзистор в корпусе TO-92 обозначается B772L.
Параметры полупроводникового прибора
Характеристики транзистора B772, приведенные в таблице, измерены при температуре корпуса +25 град.С. Если условия тестирования отличаются, это оговаривается специально.
| Предельные характеристики | ||||
|---|---|---|---|---|
| Параметр | Значение | Размерность | ||
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) | -30 | вольт | ||
| Разность потенциалов коллектор-база(Vcbo) | -60 | вольт | ||
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) | -5 | вольт | ||
| Ток коллектора (Ic) | -3 | ампер | ||
| Ток коллектора импульсный (Icm) | -6 | ампер | ||
| Ток базы (Ib) | -1 | ампер | ||
| Ток базы импульсный (Icm) | -2 | ампер | ||
| Мощность, рассеиваемая на коллекторе при Ткорпуса=+25 град.С | 12,5 | ватт | ||
| Диапазон хранения и эксплуатации | минус 65..+150 | град.С | ||
| Электрические параметры | ||||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия тестирования | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | до -0,4 | вольт | Iс =-1 A, Ib =-50 mA | |
| до -0,7 | вольт | Iс =-2 A, Ib =-100 mA | ||
| до -1,1 | вольт | Iс =-3 A, Ib =-150 mA | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер (Vbe(sat)) | до -1,2 | вольт | Iс =-2 A, Ib =-100 mA | |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vbr(ceo)) | не менее -30 | вольт | Iс =-100 mA,
Ib =0 |
|
| Напряжение пробоя коллектор-база(Vbr(cbo)) | не менее -60 | вольт | Iс =-100 uA,
Ie =0 |
|
| Напряжение пробоя эмиттер-база (Vbr(ebo)) | не менее -5 | вольт | Ie=-100 uA,
Ic =0 |
|
| Обратный ток коллектора (Ices) | менее -10 | микроампер | Vce=-60 V, Vbe=0 | |
| Обратный ток коллектора (Iceo) | менее -100 | микроампер | Vce=-30 V, Ib =0 | |
| Ток утечки эмиттера (Iebo) | менее -10 | микроампер | Veb=-5 V,
Iс =0 |
|
| Предельная рабочая частота | 100 (типовое значение) | мегагерц | Vce=-5V, Ic=-0,1A
f =10MHz |
|
На предприятии-изготовителе производится измерение статического коэффициента передачи тока при Vce=-2V, Ic=-1A. По итогам разбраковки транзистору присваивается дополнительный буквенный индекс.
| Дополнительная буква | R | O | Y | GR | Q | P | E |
| Тип корпуса | SOT-89 | SOT-32 | |||||
| Диапазон h21э | 60..120 | 100..200 | 160..320 | 200..400 | 100..200 | 160..320 | 200..400 |
Например, если нужен триод с коэффициентом передачи тока не менее 200, надо применять элементы B772GR, B772E или отбирать подходящий путем замеров из числа B772Y или B772P.
Аналоги и варианты замены
Триод 2SB772 можно заменить импортными транзисторами:
- BD132;
- BD186;
- BD188;
- BD190;
- KSB772;
- KSH772;
- MJE232;
- MJE235;
- MJE252;
- MJE254.
При замене надо смотреть на совместимость корпусов, но неплохо еще и каждый раз уточнять электрические параметры – они могут незначительно отличаться.
Из отечественных элементов в качестве аналогов подойдут КТ814, КТ816 с индексами Б, В или Г. Они недороги, легкодоступны и совместимы по корпусу и цоколевке.
Диагностика работоспособности
Проверить состояние B772, как любого биполярного транзистора, можно тестером в режиме проверки диодов. Так как биполярный транзистор состоит из двух p-n переходов, его можно представить в виде двух диодов в одном корпусе – между базой и эмиттером и между базой и коллектором.
Проверка триода сводится к проверке состояния двух диодов. Сначала каждый переход прозванивается в одном направлении, затем в другом. В первом случае тестер должен показать бесконечное сопротивление, в другом — цифру порядка 600 (милливольт). Для полной уверенности можно еще прозвонить в двух направлениях сопротивление коллектор-эмиттер. Оно должно быть бесконечным в обе стороны. Если хотя бы один результат отличается от описанного, транзистор подлежит отбраковке.
Производители задают область применения транзистора B772, как:
- линейные регуляторы напряжения;
- управление электромагнитными реле;
- низкоскоростные переключающие схемы;
- усилители звуковой частоты;
- преобразователи DC-DС.
На самом деле нет никаких ограничений на использование триода в любой роли, характерной для биполярных транзисторов данного класса. Главное – не выходить за лимиты характеристик, заложенных производителем.
