Технические параметры и аналоги транзистора IRF630

Полевой транзистор IRF630 относится к категории мощных полупроводниковых приборов с изолированным затвором (MOSFET). Триод имеет индуцированный канал N-типа.

Особенности транзистора IRF630

К особенностям полевого транзистора производители относят:

  • чрезвычайно высокую скорость нарастания напряжения dv/dt;
  • способность к быстрому переключению;
  • низкую собственную емкость;
  • простоту распараллеливания;
  • минимальный потребный заряд затвора;
  • простые требования к управлению.

Кроме того, транзистор выдерживает высокое напряжение и способен работать с высокими токами стока. Еще одна особенность триода в том, что он относится к классу logic level (хотя такие приборы обычно имеют индекс IRL) — им можно управлять непосредственно с вывода микроконтроллера, выходного уровня для этого вполне достаточно.

Следует обратить внимание, что между истоком и стоком транзистора имеется мощный диод, включенный в обратном направлении. Существование этого диода, называемого паразитным, является издержкой внутренней структуры транзистора (как и любого MOSFET). Наличие паразитного образования надо учитывать при разработке схем и при диагностике триода.

Параметры MOSFET

В таблице приведены характеристики транзистора IRF630. Все измерения выполнены при температуре +25 град.С, если не оговорены другие условия.

ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Максимальные значения
Верхний предел напряжения сток-исток (Vds) при Vgs=0200вольт
Верхний предел напряжения затвор-сток (Vdgr) при Rgs=20 kΩ200200
Верхний предел напряжения затвор-сток (Vgs)±20вольт
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Ткорпуса=+25 град.С10ампер
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Ткорпуса=+100 град.С6ампер
Предельный импульсный ток стока (Idm)40ампер
Температура пайкиград.С
Предельная температура эксплуатации+150град.С
Электрические параметры транзистора
ХарактеристикаЗначениеЕдиница измеренияУсловия тестирования

Статические характеристики

U пробоя сток-исток (Vbr(dss)более 200вольтUзи=0, Icтока=250 мкА
Ток утечки по направлению затвор-подложка (Igss)в пределах ±20наноамперUси=0 В, Uзи=20 В
Напряжение отсечки (Vgs(th))2..4вольтUси=Uзи, Iстока=250 мка
Сопротивление канала сток-исток (Rds(on))до 0,4 (типовое значение 0,25)миллиомUзи=10 В, Iстока=4,5 А
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворедо 1микроамперUзи=0 В, Uси=200 В
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворедо 100микроамперUзи=0 В, Uси=200 В, Ткорпуса=+125 град.С
Крутизна характеристики (gfs)не менее 3 (типовое значение 7)смUcи>Iстока* Rds(on), Iстока=5 А

Динамические параметры

Входная емкость1100 (тип.)пикофарадUзи = 0,

Uси = 25 В,

f = 1.0 МГц

Выходная емкость160 (тип.)
Проходная емкость30 (тип.)
Время задержки включения (td(on))не более 60наносекундVdd=100 В, Iстока=5 А, Rg= 50 Ом, Uзи=10 В
Время нарастания тока при включении (tr)не более 120
Время спада тока при отключении (tf)не более 50
Скорость нарастания тока ((di|/dt)on)250 (тип.)ампер за миллисекунду
Полный заряд затвора Qgне более 60 (тип.40)нанокулонVdd=200 В, Iстока=10 А, Uзи=10 В
Заряд затвор-исток Qgs8 (тип.)
Заряд затвор-исток Qgd10 (тип.)

Параметры паразитного диода

Падение напряжения в открытом состояниине более 1,5вольт
Предельно допустимый прямой токдо 10 пост.амперIи-с=10 А, Uзи=10 В
до 40 имп.

Корпус и цоколевка

Транзистор IRF630 выпускается в корпусе TO-220, рассчитанном на установку на внешнем теплоотводе. Вывод стока электрически соединен с теплоотводящей площадкой. Это означает, что при установке на радиатор надо предусмотреть электрическую изоляцию от теплоотвода.

Технические параметры и аналоги транзистора IRF630
Транзистор IRF630 в корпусах TO-220, ISOWATT-220, внутренняя структура триода и расположение выводов

Существует модификация транзистора в более современном корпусе ISOWATT220. Этот корпус позволяет сделать монтаж более технологичным, его цоколевка и установочные размеры аналогичны, но этот кейс обеспечивает худшие условия по отводу тепла от внутренних структур MOSFET, поэтому мощностные параметры транзисторов в таком корпусе снижены (подробности – в datasheet на эти триоды, выпускаемые под индексом IRF630FI(FP)).

Аналоги транзистора

Транзистор может быть заменен импортными MOSFET:

  • BUK454-200A;
  • BUK454-200B;
  • 2SK1957;
  • 2SK2212;
  • BUK444-200A;
  • BUK444-200B;
  • IRFI630G;
  • IRFS630;
  • IRFS631;
  • RFP2N18;
  • YTA630;
  • 2SK1957

Эти триоды имеют близкие параметры, выпускаются в корпусах TO-220 или ISOWATT220, их распиновка совпадает с IRF630. Но различия в характеристиках все же имеются, перед заменой лучше заглянуть в даташит.

Из отечественных элементов в качестве аналогов можно применить КП630 и КП737А.

Применяется транзистор IRF630 в ключевом режиме — там, где нужна большая мощность и высокая скорость переключения:

  1. Для управления нагрузкой, в том числе непосредственно с вывода микроконтроллера.
  2. Для построения ключей в DC-DC преобразователях.

Пример схемы включения в качестве ключа приведен на рисунке. Транзистор управляется через узел оптической развязки от компьютера.

Технические параметры и аналоги транзистора IRF630
Схема управления нагрузкой от вывода COM-порта компьютера

Используется триод и в линейном режиме. IRF630 может быть применен в качестве регулирующего элемента стабилизаторов или, как на рисунке, в усилителях низкой частоты для построения мощных оконечных каскадов.

Технические параметры и аналоги транзистора IRF630
Схема мощного УМЗЧ

Параметры триода получились универсальными и востребованными. Можно предположить, что транзистору IRF630 уготована долгая жизнь.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий