Технические параметры и аналоги транзистора КТ825

Отечественный полупроводниковый прибор КТ825 (2Т825) относят к классу мощных кремниевых биполярных низкочастотных транзисторов составного типа структуры PNP. В качестве комплементарной пары рекомендован триод КТ827.

Особенности транзистора КТ825

Главной особенностью прибора КТ825 в том, что он не является транзистором в классическом понимании. Он представляет собой составной транзистор – в одном корпусе содержится два активных элемента, соединенных по схеме Дарлингтона, и несколько пассивных. Это позволило преодолеть главную проблему мощных триодов – низкий коэффициент передачи тока, и получить этот параметр на уровне транзисторов класса «супербета». Платой за это стало повышенная инерционность работы, а также увеличенные значения напряжений насыщения база-эмиттер и коллектор-эмиттер.

Технические параметры и аналоги транзистора КТ825
Внутренняя структура составного триода

Полупроводниковый прибор КТ825 имеет три вывода, которые по аналогии с обычным транзистором называют базой, коллектором и эмиттером, при указании цоколевки и анализе схем применяют те же термины.

Модификации, варианты корпуса, цоколевка и маркировка

Технические параметры и аналоги транзистора КТ825
Варианты корпуса и распиновка составного транзистора

Составной транзистор КТ825 имеет две модификации:

  1. Для специальной аппаратуры (серия 2Т825) – «военное» исполнение.
  2. Для аппаратуры широкого потребления (КТ825) – «гражданское» исполнение.

Кроме того, прибор выпускается в двух видах корпусов:

  • металлический (для «гражданских» и «военных» изделий);
  • пластиковый (только для «военных» приборов, серия 2Т825А2-В2).

У металлического корпуса есть два жестких вывода – база и эмиттер. Выводом коллектора служит поверхность корпуса. У пластикового – три вывода и токоотводящая пластина, электрически соединенная с коллектором.

Кроме того, составной транзистор выпускается в бескорпусном исполнении для применения в составе гибридных микросхем и сборок. Ему присвоен индекс 2Т825А-5.

Технические параметры и аналоги транзистора КТ825
Габариты и расположение выводов 2Т825А-5

Параметры полупроводникового триода

Часть характеристик прибора КТ825 относится ко всей линейке (они измерены при температуре +25 град.С):

ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Предельные параметры
Наибольший допустимый ток базы (Iбmax)0,5ампер
Постоянное напряжение база-эмиттер5вольт
Электрические характеристики
ПараметрЗначениеРазмерностьУсловия измерения
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерне более 2вольтIб=40 мА,

Iк=10 А

Напряжение насыщения база-эмиттерне более 3вольтIб=40 мА,

Iк=10 А

Пробивное напряжение эмиттер-базане менее 5вольтIэбо=2 мА
Время включенияне более 1мксIб=40 мА,

Iк=10 А

Время выключенияне более 4,5
Емкость коллекторного переходане более 600пикофарадUкб=10 В
Емкость коллекторного переходане более 600пикофарадUэб=10 В
Предельная рабочая частотане ниже 4мегагерцUкб=3 В,

Iэ=10 А

Предельные эксплуатационные параметры в зависимости от буквенного индекса:

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, ВПостоянный (импульсный) ток коллектора, АПостоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом (без теплоотвода), ВтПредельная температура p-n перехода, град.С
При Rбэ=1 кОм или Uэб=1,5 В, Т≤+55 град.СТ≤+25 град.С
КТ825Г9020 (40)125 (3)+150
КТ825Д6020 (40)125 (3)+150
КТ825Е3020 (40)125 (3)+150
2Т825А10020 (40)125 (3)+175
2Т825Б8020 (40)125 (3)+175
2Т825В6020 (40)125 (3)+175
2Т825А210015 (30)30 (1)+150
2Т825Б28015 (30)30 (1)+150
2Т825В26015 (30)30 (1)+150
2Т825А-510020 (40)125 (3)+175

Электрические характеристики в соответствии с буквенным индексом:

Статический коэффициент передачи тока h21эСтатический коэффициент передачи тока h21э при максимальной эксплуатационной температуреПробивное напряжение коллектор-эмиттер,В
Uкб=10 В,

Iэ=10 А, T=+25 град.С

Uкб=10 В,

Iэ=10 А

Uкб=1,5 В
КТ825Г750..18000600..25000не менее 90
КТ825Д750..18000600..25000не менее 60
КТ825Е750..18000600..25000не менее 30
2Т825А500..18000400..25000не менее 100
2Т825Б750..18000600..25000не менее 80
2Т825В750..18000600..25000не менее 60
2Т825А2500..1800400..25000не менее 100
2Т825Б2750..18000600..25000не менее 80
2Т825В2750..18000600..25000не менее 60
2Т825А-5500..1800400..25000не менее 100

Содержание драгметаллов в транзисторе (в 1000 штук):

  • золото — 10 грамм;
  • серебро — 95 грамм.

Кроме того, прибор содержит медь – 3,8 грамма в одном корпусе.

Варианты замены

При подборе аналогов в пластиковом корпусе из импортных транзисторов на замену обычно рекомендуют триоды TIP142 или TIP147. Они имеют близкие параметры и более современный корпус TO-247. «Металлический» вариант замены – транзисторы Дарлингтона MJ11013 или MJ11015. Хотя параметры рекомендуемых триодов близки, они полностью не идентичны. Перед заменой рекомендуется изучить datasheet.

Отечественных приборов, способных полностью заменить КТ825, не существует. Но при необходимости можно собрать аналог на двух транзисторах.

Технические параметры и аналоги транзистора КТ825
Схема, замещающая КТ825

При подборе замены из той же линейки следует обратить внимание на то, что буквенные индексы «гражданской» серии начинаются с буквы Г (не существует транзисторов КТ825А, Б, В).

Несмотря на то, что составной транзистор КТ825 был разработан несколько десятилетий назад, он до сих пор выпускается на одном из российских заводов. Его параметры востребованы в промышленном производстве и в военной технике.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий