Отечественный полупроводниковый прибор КТ825 (2Т825) относят к классу мощных кремниевых биполярных низкочастотных транзисторов составного типа структуры PNP. В качестве комплементарной пары рекомендован триод КТ827.
Особенности транзистора КТ825
Главной особенностью прибора КТ825 в том, что он не является транзистором в классическом понимании. Он представляет собой составной транзистор – в одном корпусе содержится два активных элемента, соединенных по схеме Дарлингтона, и несколько пассивных. Это позволило преодолеть главную проблему мощных триодов – низкий коэффициент передачи тока, и получить этот параметр на уровне транзисторов класса «супербета». Платой за это стало повышенная инерционность работы, а также увеличенные значения напряжений насыщения база-эмиттер и коллектор-эмиттер.
Полупроводниковый прибор КТ825 имеет три вывода, которые по аналогии с обычным транзистором называют базой, коллектором и эмиттером, при указании цоколевки и анализе схем применяют те же термины.
Модификации, варианты корпуса, цоколевка и маркировка
Составной транзистор КТ825 имеет две модификации:
- Для специальной аппаратуры (серия 2Т825) – «военное» исполнение.
- Для аппаратуры широкого потребления (КТ825) – «гражданское» исполнение.
Кроме того, прибор выпускается в двух видах корпусов:
- металлический (для «гражданских» и «военных» изделий);
- пластиковый (только для «военных» приборов, серия 2Т825А2-В2).
У металлического корпуса есть два жестких вывода – база и эмиттер. Выводом коллектора служит поверхность корпуса. У пластикового – три вывода и токоотводящая пластина, электрически соединенная с коллектором.
Кроме того, составной транзистор выпускается в бескорпусном исполнении для применения в составе гибридных микросхем и сборок. Ему присвоен индекс 2Т825А-5.
Параметры полупроводникового триода
Часть характеристик прибора КТ825 относится ко всей линейке (они измерены при температуре +25 град.С):
| Характеристика | Значение | Размерность | |
|---|---|---|---|
| Предельные параметры | |||
| Наибольший допустимый ток базы (Iбmax) | 0,5 | ампер | |
| Постоянное напряжение база-эмиттер | 5 | вольт | |
| Электрические характеристики | |||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия измерения |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | не более 2 | вольт | Iб=40 мА,
Iк=10 А |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | не более 3 | вольт | Iб=40 мА,
Iк=10 А |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | не менее 5 | вольт | Iэбо=2 мА |
| Время включения | не более 1 | мкс | Iб=40 мА,
Iк=10 А |
| Время выключения | не более 4,5 | ||
| Емкость коллекторного перехода | не более 600 | пикофарад | Uкб=10 В |
| Емкость коллекторного перехода | не более 600 | пикофарад | Uэб=10 В |
| Предельная рабочая частота | не ниже 4 | мегагерц | Uкб=3 В,
Iэ=10 А |
Предельные эксплуатационные параметры в зависимости от буквенного индекса:
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В | Постоянный (импульсный) ток коллектора, А | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом (без теплоотвода), Вт | Предельная температура p-n перехода, град.С | |
|---|---|---|---|---|
| При Rбэ=1 кОм или Uэб=1,5 В, Т≤+55 град.С | Т≤+25 град.С | |||
| КТ825Г | 90 | 20 (40) | 125 (3) | +150 |
| КТ825Д | 60 | 20 (40) | 125 (3) | +150 |
| КТ825Е | 30 | 20 (40) | 125 (3) | +150 |
| 2Т825А | 100 | 20 (40) | 125 (3) | +175 |
| 2Т825Б | 80 | 20 (40) | 125 (3) | +175 |
| 2Т825В | 60 | 20 (40) | 125 (3) | +175 |
| 2Т825А2 | 100 | 15 (30) | 30 (1) | +150 |
| 2Т825Б2 | 80 | 15 (30) | 30 (1) | +150 |
| 2Т825В2 | 60 | 15 (30) | 30 (1) | +150 |
| 2Т825А-5 | 100 | 20 (40) | 125 (3) | +175 |
Электрические характеристики в соответствии с буквенным индексом:
| Статический коэффициент передачи тока h21э | Статический коэффициент передачи тока h21э при максимальной эксплуатационной температуре | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер,В | |
|---|---|---|---|
| Uкб=10 В,
Iэ=10 А, T=+25 град.С |
Uкб=10 В,
Iэ=10 А |
Uкб=1,5 В | |
| КТ825Г | 750..18000 | 600..25000 | не менее 90 |
| КТ825Д | 750..18000 | 600..25000 | не менее 60 |
| КТ825Е | 750..18000 | 600..25000 | не менее 30 |
| 2Т825А | 500..18000 | 400..25000 | не менее 100 |
| 2Т825Б | 750..18000 | 600..25000 | не менее 80 |
| 2Т825В | 750..18000 | 600..25000 | не менее 60 |
| 2Т825А2 | 500..1800 | 400..25000 | не менее 100 |
| 2Т825Б2 | 750..18000 | 600..25000 | не менее 80 |
| 2Т825В2 | 750..18000 | 600..25000 | не менее 60 |
| 2Т825А-5 | 500..1800 | 400..25000 | не менее 100 |
Содержание драгметаллов в транзисторе (в 1000 штук):
- золото — 10 грамм;
- серебро — 95 грамм.
Кроме того, прибор содержит медь – 3,8 грамма в одном корпусе.
Варианты замены
При подборе аналогов в пластиковом корпусе из импортных транзисторов на замену обычно рекомендуют триоды TIP142 или TIP147. Они имеют близкие параметры и более современный корпус TO-247. «Металлический» вариант замены – транзисторы Дарлингтона MJ11013 или MJ11015. Хотя параметры рекомендуемых триодов близки, они полностью не идентичны. Перед заменой рекомендуется изучить datasheet.
Отечественных приборов, способных полностью заменить КТ825, не существует. Но при необходимости можно собрать аналог на двух транзисторах.
При подборе замены из той же линейки следует обратить внимание на то, что буквенные индексы «гражданской» серии начинаются с буквы Г (не существует транзисторов КТ825А, Б, В).
Несмотря на то, что составной транзистор КТ825 был разработан несколько десятилетий назад, он до сих пор выпускается на одном из российских заводов. Его параметры востребованы в промышленном производстве и в военной технике.
