Технические параметры и аналоги транзистора SS8050

Полупроводниковый триод S8550 относится к классу биполярных кремниевых высокочастотных транзисторов средней мощности, выполненных по структуре PNP. Составляет комплементарную пару с триодом S8050, имеющим противоположную структуру.

Особенности транзистора S8550

В первую очередь к особенностям транзистора S8550 относится его корпус. Пластиковый кейс TO-92 (и SOT-23 для SMD-исполнения) не оптимален для транзисторов такого уровня рассеиваемой мощности, в частности, из-за невозможности организовать эффективное отведение тепла, включая установку на внешнем радиаторе. По этой причине потенциал конструкции используется не полностью. Еще к особенностям можно отнести заводскую разбраковку по усиливающей способности.

Остальные параметры триода, приводимые в datasheet, достаточно заурядны, за исключением, пожалуй, довольно высокой рабочей частоты.

Параметры полупроводникового триода

Все характеристики транзистора S8550, приведенные в таблице, измерены при температуре +25 градусов С.

Предельные параметры
ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo)-25вольт
Разность потенциалов коллектор-база (Vcbo)-40вольт
Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo)-6вольт
Ток коллектора (Ic)-1,5ампер
Общая рассеиваемая мощность (Pd)1ватт
Электрические характеристики
ПараметрЗначениеРазмерностьУсловия измерения
Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVcbo)не менее -40вольтIc=-100 мкА,

Ie=0

Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVceo)не менее -25вольтIc=-2 мА,

Ib=0

Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVebo)не менее -6вольтIe=-100 мкА,

Ic=0

Ток утечки коллектора при нулевом токе эмиттера (Icbo)не более 100наноамперVcb= -40 В,

Ie=0

Ток утечки эмиттера (Iebo)не более 100наноамперVeb= -3 В,

Iс=0

Ток утечки коллектора при нулевом токе базы (Iceo)не более 100наноамперVce= -20 В,

Ib=0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat))не более -0,5вольтIс=-800 мА,

Ib= -80 мА

Падение напряжения на эмиттерном переходе Vbe(on)не более -1вольтVce= -1 В,

Iс=-10 мА

Выходная емкость15 (типовое значение)пикофарадVcb= -10 В,

Ie=0,

f=1 МГц

Частота единичного усиленияне менее 100 (типовое значение 200)мегагерцVce= -10 В,

Iс=-50 мА

При повышении температуры свыше+25 град.С, максимально допустимая рассеиваемая мощность уменьшается на 8 милливатт на каждый градус С превышения.

По диапазону возможных значений статического коэффициента передачи тока производится заводская разбраковка. По ее итогам транзисторам присваивается дополнительный буквенный индекс.

hFE85~160120~200160~300
Буквенный индексBCD
Технические параметры и аналоги транзистора SS8050
Транзистор S8550D может иметь коэффициент передачи тока от 160 до 300

Модификации, варианты корпуса, цоколевка и маркировка

Транзистор S8550 выпускается в двух модификациях:

  • для монтажа в отверстия печатной платы в корпусе TO-92;
  • для поверхностного монтажа (SOT-23).

Во втором варианте предельный ток коллектора снижен до 0,5 ампера, а рассеиваемая мощность до 0,3 ватта.

Технические параметры и аналоги транзистора SS8050
Варианты исполнения и цоколевка триода S8550

Выводной корпус маркируется полным или сокращенным названием прибора. Корпус для поверхностного монтажа имеет кодовую маркировку 2TY.

Варианты замены

Для замены полупроводникового триода в выводном исполнении S8550 рекомендуются аналоги зарубежного производства:

  • 2SB564A;
  • M8550;
  • MPS3702;
  • MPS6535;
  • MPS6651;
  • MPS6652;
  • MPS750;
  • MPSW51;
  • MPSW51A;
  • S9012.

Однако использовать их надо с осторожностью. Хотя они пакуются в аналогичный корпус и имеют одинаковую распиновку, их электрические параметры совпадают не полностью. Особенно это относится к предельному току коллектора. Обычно он меньше 1,5 ампер. Так, у S9012 он составляет всего 0,5 А. Если это важно в каждом конкретном случае, то к выбору замены надо отнестись внимательно.

Из отечественных элементов подойдут КТ6127В или КТ6115 с индексом А, Б или В. Российские транзисторы выпускаются в аналогичном корпусе, а по электрическим параметрам не уступают S8550 (КТ6115 по току коллектора даже превосходит).

Технические параметры и аналоги транзистора SS8050
Российский триод КТ6127В в корпусе TO-92

Производители задают область применения транзистора, как выходные каскады усилителей для наушников совместно с комплементарной парой). На самом деле, триод может выполнять любую функцию, характерную для биполярных транзисторов. Главное – соблюдать установленные производителем ограничения.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий