Полупроводниковый триод S8550 относится к классу биполярных кремниевых высокочастотных транзисторов средней мощности, выполненных по структуре PNP. Составляет комплементарную пару с триодом S8050, имеющим противоположную структуру.
Особенности транзистора S8550
В первую очередь к особенностям транзистора S8550 относится его корпус. Пластиковый кейс TO-92 (и SOT-23 для SMD-исполнения) не оптимален для транзисторов такого уровня рассеиваемой мощности, в частности, из-за невозможности организовать эффективное отведение тепла, включая установку на внешнем радиаторе. По этой причине потенциал конструкции используется не полностью. Еще к особенностям можно отнести заводскую разбраковку по усиливающей способности.
Остальные параметры триода, приводимые в datasheet, достаточно заурядны, за исключением, пожалуй, довольно высокой рабочей частоты.
Параметры полупроводникового триода
Все характеристики транзистора S8550, приведенные в таблице, измерены при температуре +25 градусов С.
| Предельные параметры | |||
|---|---|---|---|
| Характеристика | Значение | Размерность | |
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) | -25 | вольт | |
| Разность потенциалов коллектор-база (Vcbo) | -40 | вольт | |
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) | -6 | вольт | |
| Ток коллектора (Ic) | -1,5 | ампер | |
| Общая рассеиваемая мощность (Pd) | 1 | ватт | |
| Электрические характеристики | |||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия измерения |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVcbo) | не менее -40 | вольт | Ic=-100 мкА,
Ie=0 |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVceo) | не менее -25 | вольт | Ic=-2 мА,
Ib=0 |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVebo) | не менее -6 | вольт | Ie=-100 мкА,
Ic=0 |
| Ток утечки коллектора при нулевом токе эмиттера (Icbo) | не более 100 | наноампер | Vcb= -40 В,
Ie=0 |
| Ток утечки эмиттера (Iebo) | не более 100 | наноампер | Veb= -3 В,
Iс=0 |
| Ток утечки коллектора при нулевом токе базы (Iceo) | не более 100 | наноампер | Vce= -20 В,
Ib=0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | не более -0,5 | вольт | Iс=-800 мА,
Ib= -80 мА |
| Падение напряжения на эмиттерном переходе Vbe(on) | не более -1 | вольт | Vce= -1 В,
Iс=-10 мА |
| Выходная емкость | 15 (типовое значение) | пикофарад | Vcb= -10 В,
Ie=0, f=1 МГц |
| Частота единичного усиления | не менее 100 (типовое значение 200) | мегагерц | Vce= -10 В,
Iс=-50 мА |
При повышении температуры свыше+25 град.С, максимально допустимая рассеиваемая мощность уменьшается на 8 милливатт на каждый градус С превышения.
По диапазону возможных значений статического коэффициента передачи тока производится заводская разбраковка. По ее итогам транзисторам присваивается дополнительный буквенный индекс.
| hFE | 85~160 | 120~200 | 160~300 |
| Буквенный индекс | B | C | D |
Модификации, варианты корпуса, цоколевка и маркировка
Транзистор S8550 выпускается в двух модификациях:
- для монтажа в отверстия печатной платы в корпусе TO-92;
- для поверхностного монтажа (SOT-23).
Во втором варианте предельный ток коллектора снижен до 0,5 ампера, а рассеиваемая мощность до 0,3 ватта.
Выводной корпус маркируется полным или сокращенным названием прибора. Корпус для поверхностного монтажа имеет кодовую маркировку 2TY.
Варианты замены
Для замены полупроводникового триода в выводном исполнении S8550 рекомендуются аналоги зарубежного производства:
- 2SB564A;
- M8550;
- MPS3702;
- MPS6535;
- MPS6651;
- MPS6652;
- MPS750;
- MPSW51;
- MPSW51A;
- S9012.
Однако использовать их надо с осторожностью. Хотя они пакуются в аналогичный корпус и имеют одинаковую распиновку, их электрические параметры совпадают не полностью. Особенно это относится к предельному току коллектора. Обычно он меньше 1,5 ампер. Так, у S9012 он составляет всего 0,5 А. Если это важно в каждом конкретном случае, то к выбору замены надо отнестись внимательно.
Из отечественных элементов подойдут КТ6127В или КТ6115 с индексом А, Б или В. Российские транзисторы выпускаются в аналогичном корпусе, а по электрическим параметрам не уступают S8550 (КТ6115 по току коллектора даже превосходит).
Производители задают область применения транзистора, как выходные каскады усилителей для наушников совместно с комплементарной парой). На самом деле, триод может выполнять любую функцию, характерную для биполярных транзисторов. Главное – соблюдать установленные производителем ограничения.
