Импортный полупроводниковый триод 13001 (MJE13001) относится к классу маломощных биполярных кремниевых транзисторов, выполненных по структуре NPN. Образует комплементарную пару с прибором 13001, имеющим противоположную структуру.
Особенности транзистора 13001
Основными особенностями транзистора 13001 можно считать два его электрических параметра:
- предельная разность потенциалов между коллектором и базой составляет 600 вольт;
- максимальный рабочий ток может достигать 200 мА.
Производители в datasheet в разделе Features указывают и другие отличительные черты прибора, но из перечисленного к особенностям самого триода можно отнести лишь несколько увеличенный температурный диапазон работы и расширенную область безопасной работы.
Остальные значения (возможность эксплуатации при высокой влажности, отсутствие вредных веществ, соответствие стандартам и т.д.) характеризируют, скорее, пластиковый корпус прибора.
Параметры полупроводникового прибора
Все характеристики транзистор 13001 приводятся при температуре +25 град.С (если нет указаний на другие условия тестирования).
| Предельные характеристики | ||||
|---|---|---|---|---|
| Параметр | Значение | Размерность | ||
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) | не менее 400 | вольт | ||
| Разность потенциалов коллектор-база(Vcbo) | не менее 600 | вольт | ||
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) | не менее 7 | вольт | ||
| Ток коллектора (Ic) | не менее 200 | миллиампер | ||
| Мощность, рассеиваемая на коллекторе | 750 для корпуса TO-92 | милливатт | ||
| 550 для корпуса SOT-89 | ||||
| Диапазон хранения и эксплуатации | от минус 55 до +150 град.С | град.С | ||
| ON characteristics | ||||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия тестирования | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | не более 0,5 | вольт | Iк=50 мА, Iб=10 мА | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (Vbe(sat)) | не более 1,2 | |||
| OFF characteristics | ||||
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vbr(ceo)) | не менее 400 | вольт | Iк=100мкA, Iэ=0 | |
| Напряжение пробоя коллектор-база(Vbr(cbo)) | не менее 600 | вольт | Iк=1 мA, Iб=0 | |
| Напряжение пробоя эмиттер-база (Vbr(ebo)) | не менее 7 | вольт | Iэ=100 мкA, Iк=0 | |
| Ток утечки коллектора (Icbo) | не более 100 | микроампер DC | Iэ=0,
Uкб= Uкб max |
|
| Ток утечки коллектора при нулевом токе базы и предельном Uкэ (Iceo) | не более 200 | микроампер DC | Iб=0,
Uкэ=Uкэ max |
|
| Ток утечки эмиттера (Iebo) | не более 100 | микроампер DC | Iк=0,
Uэб= Uэб max |
|
| Характеристики в режиме малого сигнала | ||||
| Время задержки (ts) | не более 1,5 | микросекунд | Iк=50 мА,
Iб1= -Iб=5 мА, Uпитания=45 В |
|
| Время спада тока (tf) | не более 0,3 | |||
По статическому коэффициенту передачи тока проводится заводская разбраковка транзисторов. В соответствии с измеренным значением присваивается дополнительный буквенный индекс.
| Значение h21э | 10..20 | 15..20 | 20..25 | 25..30 | 30..35 | 35..40 | 40..45 | 45..50 | 50..55 | 55..60 | 60..65 | 65..70 |
| Дополнительный индекс | A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L |
| Условия тестирования | Uкэ=20 В, Iк=20 мА | |||||||||||
Варианты корпуса, цоколевка и маркировка
Транзистор 13001 выпускается в двух основных модификациях корпуса:
- для монтажа в отверстия TO-92;
- для поверхностного монтажа SOT-89.
На этом различия исполнений не заканчиваются. Выводной корпус выпускается в двух вариантах:
- с прямыми выводами;
- с изогнутыми выводами.
Обе модификации не отличаются электрическими параметрами, разность в выводах надо учесть лишь при разработке плат или замене транзистора. Гораздо существеннее то, что даже в одном корпусе цоколевка прибора может различаться.
Чтобы не ошибиться, перед монтажом надо либо прозвонить транзистор, либо свериться с паспортными данными, если они имеются.
Структура полной маркировки триода выглядит, как MJE13001G-X-T92-Z-Y, где:
- G – экологическая маркировка (G – отсутствие галогенов, L – отсутствие свинца).
- X – индекс разбраковки по коэффициенту передачи тока (см. предыдущий раздел).
- T92 – тип корпуса (T92 – выводной, AB3 – SMD).
- Z – вариант распиновки.
- Y – тип упаковки.
Для определения распиновки надо обратиться к таблице.
| Индекс | Тип корпуса | Назначение выводов | Упаковка | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Без содержания свинца | Без содержания галогенов | 1 | 2 | 3 | ||
| — | MJE13001G-X-AB3-A-R | SOT-89 | Э | К | Б | Свернутая лента |
| — | MJE13001G-X-AB3-F-R | SOT-89 | Б | К | Э | Свернутая лента |
| MJE13001L-X-T92-B | MJE13001G-X-T92-B | TO-92 | Б | К | Э | На ленте в коробке |
| MJE13001L-X-T92-K | MJE13001G-X-T92-K | TO-92 | Б | К | Э | Россыпь |
| MJE13001L-X-T92-A-B | MJE13001G-X-T92-A-B | TO-92 | Э | К | Б | На ленте в коробке |
| MJE13001L-X-T92-A-K | MJE13001G-X-T92-A-K | TO-92 | Э | К | Б | На ленте в коробке |
Встречается и вариант транзистора MJE13001 в пластиковом корпусе TO-126. Эта модификация может использоваться совместно с внешним радиатором. Рассеиваемая мощность при этом возрастает до 1000 миливатт.
Аналоги и варианты замены
Из зарубежных транзисторов в качестве функциональных аналогов подойдут другие элементы из линейки:
- 13003;
- 13005;
- 13007;
- 13009.
Все они превосходят MJE13001 по параметрам. Проблема в том, что в корпусе TO-92 выпускается только 13003, и то не все модификации. Остальные «пакуются» в кейсы TO-220 и подобные, поэтому неизбежно возникнет проблема с монтажом, если даже совпадет распиновка.
Из российских элементов для замены пригодны:
- КТ8270А;
- КТ8201А;
- КТ8203А;
- КТ8170А;
- КТ8175А.
Все эти приборы схожи по электрическим параметрам, но их выпускают в корпусе КТ-27 (TO-126). В большинстве случаев это вызовет проблемы при монтаже.
В datasheet производитель ограничивает область использования транзистора работой в преобразователях напряжения в ключевом режиме. Эту роль триод выполняет очень хорошо благодаря высоковольтности, быстродействию, низкому значению напряжения насыщения коллектор-эмиттер. Тем не менее, транзистор пригоден и для усилительно-генераторных задач в линейном режиме. Пусть при таком использовании его характеристики используются не полностью, невысокая стоимость транзистора позволяет не задумываться об экономической составляющей.
