Полупроводниковый триод A1015 (2SA1015) относится к классу маломощных кремниевых биполярных транзисторов, имеющих структуру PNP.
Особенности полупроводникового триода A1015
Некоторые производители в вводной части datasheet на полупроводниковый прибор в качестве особенностей приводят способность работать при высоких напряжениях и высоких токах. Однако при изучении характеристик транзистора A1015 выясняется, что рабочие ток и напряжение вполне заурядны для транзисторов данного класса. К особым параметрам скорее надо относить:
- Очень низкий уровень собственных шумов.
- Высокую линейность статического коэффициента передачи тока.
Последняя характеристика означает, что Hfe мало изменяется при изменении тока коллектора. Так, если Iк меняется от 0,1 мА до 2 мА (в 20 раз), то коэффициент передачи меняется лишь в 0,95 раз.
Эти свойства позволяют строить усилительные каскады высокой верности на звуковой частоте. Подобному использованию способствует и наличие комплементарного транзистора 2SC1815 с теми же характеристиками, но имеющего противоположную структуру NPN.
Параметры транзистора
Производители заявляют следующие параметры транзистора A1015.
| Предельные характеристики | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Параметр | Значение | Размерность | |||
| Верхнее предельное U коллектор-база (Vcbo) | -50 | вольт | |||
| Верхнее предельное U коллектор-эмиттер (Vceo) | -50 | вольт | |||
| Верхнее предельное U эмиттер-база (Vbeo) | -5 | вольт | |||
| Предельный длительный ток коллектора (Ic) | -150 | миллиампер | |||
| Электрические параметры | |||||
| Характеристика | Условия измерения | Значение | Размерность | ||
| U пробоя коллектор-база (BVcbo) | Iк= -100мкA, Iэ=0 | -50 | вольт | ||
| U пробоя коллектор-эмиттер (BVceo) | Iк= -0,1 мА, Iб=0 | -50 | вольт | ||
| Обратный ток коллектора (Icbo) | Uкб=-50 В, Iэ=0 | Не более 0,1 | микроампер | ||
| Обратный ток коллектора (Icbo) | Uкб=-50 В, Iэ=0 | Не более 0,1 | микроампер | ||
| Статический коэффициент передачи тока (Hfe) | Uкэ=-6 В, Iк= 2 мА | 70..400 | |||
| U насыщ коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | Iк=-100 мА, Iб=-10 мА | Не более -0,3 | вольт | ||
| U насыщ база-эмиттер (Vbe(sat)) | Iк=-100 мА, Iб=-10 мА | Не более -1,1 | вольт | ||
| Падение напряжения база-эмиттер | Iк=-310 мА | Не более -1,45 | вольт | ||
| Предельная рабочая частота | Uкэ=-10 В, Iк= 1 мА | Не менее 80 | мегагерц | ||
| Уровень собственных шумов | Uкэ= -6 В, Iк= -0.1mA f=100 Гц, RG= 10кОм | 0,5 (типовое значение), не более 6 | децибел | ||
| Выходная ёмкость | Uкб= -10 В, Iэ=0, f=1МГц | Не более 7 (типовое значение – 4) | пикофарад | ||
Все параметры сняты при Т=+25 град.С.
К особенностям полупроводникового прибора можно отнести и предварительный отбор по коэффициенту передачи тока. Он определяется при производстве, и, в зависимости от его значения, транзистору присваивается дополнительный буквенный индекс.
| Тип прибора | Значение Hfe |
|---|---|
| A1015O | 70..140 |
| A1015Y | 120..240 |
| A1015R | 200..400 |
Корпус, цоколевка и маркировка
Как и многие транзисторы данной мощностной категории, элемент 2SA1015 выпускается в миниатюрном пластиковом корпусе TO92 с тремя гибкими выводами для монтажа в отверстия печатной платы. Выводы формуют и изгибают по месту при монтаже.
Маркировка наносится на срез корпуса. Из-за отсутствия места она сводится, большей частью, к сокращенному названию прибора. На оставшейся площади может быть нанесена дополнительная информация в виде буквенно-цифрового кода.
К маркировке может быть добавлена буква С – это означает отсутствие галогенов.
Аналоги транзистора
Для замены транзистора A1015 рекомендуются зарубежные аналоги:
- 2SA561;
- 2SA108;
- 2SA1152;
- 2SA564A;
- 2SA659;
- 2SA678;
- 2SA733;
- 2SA823;
- 2SA661;
- 2SA828A;
- 2SA999;
- 2SB637.
Эти транзисторы имеют близкие или превосходящие электрические параметры (по токам или напряжениям) и аналогичный корпус, однако они не нормируются по линейности Hfe и по уровню шума (или нормируются, но являются более шумными). Они позиционируются, как приборы general purpose и, возможно, они не во всех случаях могут служить полноценной заменой A1015.
То же самое относится к российским транзисторам, рекомендуемым на замену 2SA1015 – КТ3107Б (коэффициент собственных шумов – 4..10 дБ) или КТ502Е (Кш не нормирован).
Применение и практические схемы
Ранее отмечено, что транзистор предназначен для построения каскадов высококачественных усилителей звуковой частоты. На рисунке приведена схема подобного применения. Усилитель имеет выходную мощность 200 ватт, по этой причине два маломощных триода A1015 использованы для построения входного каскада – самого ответственного, во многом определяющего качество всего усилителя. На третьем 2SA1015 собран источник тока, задающий режим каскада.
Другой пример – применение A1015 для построения двухтактного каскада в составе комплементарной пары. Хотя в даташите в качестве комплементарного рекомендуется транзистор 2SC1815, для создания симметричной пары может применяться и 2SC945 (C945) с похожими электрическими характеристиками.
Принципиально триод 2SA1015 может применяться и в других целях, характерных для биполярных транзисторов, например, для создания электронных ключей. Однако, подобную область применения ограничивает небольшой допустимый ток коллектора, а остальные полезные свойства – стабильность усиления по току или низкая шумность – не используются.
