Технические параметры и аналоги транзистора IRFP460

Полевой транзистор IRFP460 принадлежит к категории мощных полевых триодов с изолированным затвором (MOSFET). Имеет индуцированный канал N-типа и производится по технологии HEXFET.

Особенности транзистора IRFP460, корпус и цоколевка

Часть особенностей IRFP460 определяется технологией производства. HEXFET-приборы имеют сверхмалое сопротивление канала сток-исток, это означает:

  1. Низкие потери на тепло в открытом состоянии.
  2. Возможность работать с большими токами и повышенную рассеивающую способность.

К другим специфическим свойствам данного MOSFET относят:

  • быстрое переключение;
  • высокое рабочее напряжение сток-исток;
  • динамическое соотношение dv/dt;
  • упрощенные требования к сигналу управления;
  • простоту распараллеливания.

Выпускается транзистор в корпусе TO-247. Этот корпус имеет изолированное отверстие, что упрощает монтаж (не требуется диэлектрическая втулка для винта).

При монтаже на внешний теплоотвод нельзя превышать затягивающее усилие для винта свыше 1,1 Н*м (10 фунт-сила*дюйм).

Технические параметры и аналоги транзистора IRFP460
Внешний вид корпуса и расположение выводов полевого транзистора IRFP460

К особенностям транзистора можно отнести и наличие внутреннего диода, включенного между стоком и истоком в обратном направлении. Наличие этого элемента является неизбежным следствием структуры MOSFET и в целом является вредным явлением.

Технические параметры и аналоги транзистора IRFP460
Образование паразитного диода в структуре MOSFET из паразитного биполярного транзистора

Параметры MOSFET

В таблице приведены характеристики полевого транзистора IRFP460. Если нет других указаний, они даны для температуры окружающей среды +25 град.С.

ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Максимальные значения
Предельная рассеиваемая мощность при Ткорпуса +25 град.С280ватт
Предельная скорость нарастания напряжения на стоке (dv/dt)3,5вольт/наносекунд
Максимальная энергия единичного импульса на стоке (Eas)960миллиджоуль
Максимальный прерываемый ток (Iar)20ампер
Максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке (Ear)28миллиджоуль
Верхний предел напряжения затвор-сток (Vgs)±20вольт
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Ткорпуса=+25 град.С20ампер
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Ткорпуса=+100 град.С13ампер
Предельный импульсный ток стока (Idm)80ампер
Температура пайки+300град.С
Предельная температура эксплуатации (Tj, Тперехода)минус 55..+150град.С
Электрические параметры транзистора
ХарактеристикаЗначениеЕдиница измеренияУсловия тестирования
Напряжение пробоя сток-исток (Vbr(dss)не менее 500вольтUзи=0, Icтока=250 мкА
Ток утечки по направлению затвор-подложка (Igss)±100наноамперUси=0 В, Uзи=±20 В
Напряжение отсечки (Vgs(th))2..4вольтUси=Uзи, Iстока=250 мкА
Сопротивление канала сток-исток (Rds(on))не более 0,27омUзи=10 В, Iстока=12 А
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворе (Idss)25микроамперUзи=0 В, Uси=500 В
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворе(Idss)250микроамперUзи=0 В, Uси=400 В, Тперехода=+125 град.С
Крутизна характеристики (gfs)не менее 13смUcи=50 В Iстока=12 А
Входная емкость4200 (тип.)пикофарадUзи = 0,

Uси = 25 В,

f = 1.0 МГц

Выходная емкость870 (тип.)
Проходная емкость350 (тип.)
Время задержки включения (td(on))18 (тип.)наносекунд

ампер за миллисекунду

Vdd=250 В, Iстока=20А,

Rз= 4,3 Ом,

Rс= 13 Ом

Время нарастания тока при включении (tr), передний фронт59 (тип.)
Время спада тока при отключении (tf), задний фронт110 (тип.)
Время задержки отключения(td(off))58 (тип.)
Полный заряд затвора Qg, требующийся для открытия транзисторане более 210нанокулонVdd=400 В, Iстока=20 А, Uзи=10 В
Заряд затвор-исток Qgsне более 29
Заряд затвор-исток Qgdне более 110
Собственная индуктивность стока (Ld)5 (тип.)наногенриМежду выводами, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса и центра контакта
Собственная индуктивность истока (Ls)13 (тип.)
Параметры паразитного диода
Падение напряжения в открытом состоянии1,8вольт
Предельно допустимый прямой ток20 (продолж.)амперIс=10 А, Uзи=10 В
80 (имп.)

При повышении температуры корпуса свыше +25 град.С, предельная допустимая мощность снижается на 2,2 ватт на каждый градус превышения. При повышении температуры перехода свыше +25 град.С пробивное напряжение снижается на 0,63 вольт/град.С на каждый градус превышения.

Аналоги транзистора

Технические параметры и аналоги транзистора IRFP460
Полевой транзистор IRF840 выпускается в корпусе TO-220

В качестве аналогов для замены рекомендуют триоды:

Однако их параметры не дотягивают до IRFP460 по току и напряжению, и выпускаются они в корпусе TO-220. В каждом конкретном случае надо смотреть datasheet и параметры конкретной схемы, чтобы принять решение о возможности замены.

Область использования транзистора определяется производителем, как мощные высоковольтные ключи. В этих узлах параметры триода используются наиболее полно. Например, в приведенной схеме импульсного источника питания мощные высоковольтные ключи сетевого напряжения выполнены на IRFP460.

Технические параметры и аналоги транзистора IRFP460
Схема импульсного сетевого источника питания

Нет принципиальных запретов и для применения этих MOSFET в линейном режиме. Ограничением служат только предельные параметры триода. В остальном все зависит от квалификации разработчика схем.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий