Полупроводниковый триод TIP35C относится к линейке мощных кремниевых биполярных низкочастотных транзисторов TIP35, выполненных по структуре NPN. Образует комплементарную пару с прибором противоположной структуры TIP36C.
Особенности транзистора TIP35C
Различные производители в datasheet на транзистор в разделе Features приводят особенности триода TIP35C, свойственные всей линейке TIP35:
- Низкое значение напряжения коллектор-эмиттер.
- Высокое предельное значение тока коллектора.
- Низкие токи утечки.
- Неплохие для данного класса усилительные способности по току.
Внутри серии элемент является самым высоковольтным — его рабочее напряжение составляет не менее 100 вольт.
Производители декларируют отсутствие в структуре прибора свинца и соответствие другим экологическим стандартам.
Параметры полупроводникового триода
Характеристики транзистора TIP35C , приведенные в таблице, даны для температуры окружающей среды +25 град.С. Часть параметров измерялась при иных условиях, на что имеется отдельное указание.
| Предельные параметры | |||
|---|---|---|---|
| Характеристика | Значение | Размерность | |
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) при разомкнутой цепи базы | 100 | вольт | |
| Разность потенциалов коллектор-база(Vcbo) при разомкнутой цепи эмиттера | 100 | вольт | |
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) при разомкнутой цепи коллектора | 5 | вольт | |
| Ток коллектора постоянный (Ic) | 25 | ампер | |
| Ток коллектора постоянный импульсный (Icm) | 50 | ампер | |
| Ток базы (Ib) | 5 | ампер | |
| Общая рассеиваемая мощность (Pd) при температуре корпуса +25 град.С | 125 | ватт | |
| Рабочая температура перехода (Tj) | +150 | град.С | |
| Температура хранения (Tstg) | минус 65..+150 | град.С | |
| Электрические характеристики | |||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия измерения |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo(sus)) | не менее 100 | вольт | Ic=30 мA,
Ib=0 |
| Обратный ток коллектора при нулевом токе эмиттера (Iceo) | до 1 | миллиампер | Vce=60 В,
Ib=0 |
| Обратный ток коллектора (Ices) | до 0,7 | миллиампер | Vce=100 В,
Veb=0 |
| Обратный ток эмиттера (Iebo) при нулевом токе коллектора | до 1 | миллиампер | Veb=5 В,
Iс=0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | до 1,8 | вольт | Ic=15 A,
Ib=1,5 А |
| до 4 | вольт | Ic=25 A,
Ib=5 А |
|
| Падение напряжения на эмиттерном
переходе Vbe(on) |
до 2 | вольт | Ic=15 A,
Ib=1,5 А |
| до 4 | вольт | Ic=25 A,
Ib=5 А |
|
| Статический коэффициент передачи тока | не менее 25 | Vce=4 V,
Ic=1,5 |
|
| 10..50 | Vce=4 V,
Ic=15А |
||
| Предельная рабочая частота | 3 | мегагерц | Ic=1 A,
Vce=10 В |
Корпус и цоколевка
Транзистор TIP35C доступен ан рынке электронных компонентов в двух вариантах корпуса:
- TO-218;
- более современный TO-247.
Оба корпуса предназначены для навесного монтажа или монтажа в отверстия. Обе модификации имеют три вывода и теплоотводящую пластину для отвода тепла от внутренних структур, в том числе, посредством передачи тепловой энергии внешнему радиатору.
Начиная с 2012 года транзистор TIP35C выпускается только в корпусе TO-247 (по крайней мере, у известных производителей).
Теплоотводящий лепесток электрически соединен с коллектором. Это означает, что при установке на радиатор надо предусмотреть изолирующую прокладку (слюдяную или керамическую), а для корпуса TO-218 — еще и диэлектрическую втулку для крепящего винта.
Варианты замены
Для замены триода TIP35C можно использовать зарубежные аналоги:
- BD249С;
- BD249D;
- BD249E;
- NTE392;
- 2SD1049;
- ECG392;
- BD745C;
- BD745D;
- BD745E.
Эти транзисторы имеют аналогичный корпус. Их электрические параметры схожи с параметрами TIP35C или превосходят их.
Из российских элементов наиболее близкие характеристики имеет триод КТ819Г. Его корпус совместим с зарубежным, но ток коллектора КТ819Г не превышает 10 А. В некоторых случаях этого достаточно, но не всегда.
Триод является прибором общего назначения. Производители описывают сектор его применения, как усилительные и переключающие узлы.
Можно строить мощные оконечные каскады усилителей аудиочастоты по двухтактной схеме — наличие комплементарной пары позволяет применять подобные технические решения. Кроме того, высокую допустимую мощность транзистора можно использовать, например, в линейных стабилизаторах напряжения, низкое значение напряжения насыщения — в схемах управления мощной, но низковольтной нагрузкой и т.п. Опытный разработчик всегда придумает, как наиболее полно использовать возможности прибора.
