Технические параметры и аналоги транзистора IRFZ24N

Полевой транзистор IRFZ24N относится к классу мощных кремниевых триодов с индуцированным каналом (MOSFET). Выпускается по технологии HEXFET и имеет канал N-типа.

Особенности транзистора IRFZ24N

Особенности транзистора большей частью определяются технологией его производства. Не вдаваясь в сущность HEXFET, можно сказать, что этот способ производства позволяет получить:

  1. Сверхнизкие на сегодняшний день значения сопротивления силового канала (десятые и даже сотые доли ома).
  2. Как следствие — высокие значения токов стока и минимизацию потерь на тепло в открытом состоянии.
  3. Повышенную скорость нарастания напряжения.
  4. Более высокую рабочую температуру.
  5. Высокую устойчивость к лавинному пробою.

Эти особенности характерны и для IRFZ24N. Помимо этого в datasheet говорится о высокой надежности прибора и его повышенной эффективности.

И еще одна особенность IRFZ24N, характерная для всех MOSFET. В нем имеется диод между истоком и стоком, включенный в обратном направлении. Этот паразитный элемент является нежелательным следствием структуры триода (но несет и защитную функцию). Его наличие надо учитывать при разработке схем и диагностике транзистора.

Технические параметры и аналоги транзистора IRFZ24N
Упрощенная структура MOSFET

Параметры MOSFET

В таблице приведены характеристики транзистора IRFZ24N.

ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Максимальные значения
Предельная рассеиваемая мощность при Ткорпуса +25 град.С45ватт
Предельная скорость нарастания напряжения на стоке (dv/dt)5вольт/наносекунд
Максимальная энергия единичного импульса на стоке (Eas)71миллиджоуль
Максимальный прерываемый ток (Iar)10ампер
Максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке4,5 (для каждого импульса)миллиджоуль
Верхний предел напряжения затвор-сток (Vgs)±20вольт
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Ткорпуса=+25 град.С17ампер
Предельный продолжительный ток стока (Id) при Ткорпуса=+100 град.С12ампер
Предельный импульсный ток стока (Idm)68ампер
Температура пайки300 (в 1,6 мм от корпуса)град.С
Предельная температура эксплуатации (Tj, Тперехода)минус55..+175град.С
Электрические параметры транзистора
ХарактеристикаЗначениеЕдиница измеренияУсловия тестирования
Напряжение пробоя сток-исток (Vbr(dss)не менее 55вольтUзи=0, Icтока=250 мкА
Ток утечки по направлению затвор-подложка (Igss)±100наноамперUси=0 В, Uзи=±20 В
Напряжение отсечки (Vgs(th))2..4вольтUси=Uзи, Iстока=250 мка
Сопротивление канала сток-исток (Rds(on))0,07омUзи=10 В, Iстока=10 А
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворе25микроамперUзи=0 В, Uси=55 В
Ток утечки закрытого канала при нулевом напряжении на затворе250микроамперUзи=0 В, Uси=45 В, Тперехода=+125 град.С
Крутизна характеристики (gfs)от 4,5смUcи=25 В Iстока=10 А
Входная емкость370 (тип.)пикофарадUзи = 0,

Uси = 25 В,

f = 1.0 МГц

Выходная емкость140(тип.)
Проходная емкость65(тип.)
Время задержки включения (td(on))4,9 (тип.)наносекунд

ампер за миллисекунду

Vdd=28 В, Iстока=10А, Rg= 24 Ом, Rg= 2,6 Ом
Время нарастания тока при включении (tr), передний фронт34 (тип.)
Время спада тока при отключении (tf), задний фронт27 (тип.)
Время задержки отключения(td(off))19 (тип.)
Полный заряд затвора Qg, требующийся для открытия транзисторадо 20нанокулонVdd=44 В, Iстока=10 А, Uзи=10 В
Заряд затвор-исток Qgsдо 5,3
Заряд затвор-исток Qgdдо 7,6
Собственная индуктивность стока (Ld)4,5 (тип.)наногенриМежду выводами, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса и центра контакта
Собственная индуктивность истока (Ls)7,5 (тип.)
Параметры паразитного диода
Падение напряжения в открытом состояниидо 1,3вольт
Предельно допустимый прямой токдо 17 длящийсяамперIс=10 А, Uзи=10 В
до 63 импульсный

При повышении температуры корпуса свыше +25 град.С, предельная допустимая мощность снижается на 0,3 ватт на каждый градус превышения. При повышении температуры перехода свыше +25 град.С пробивное напряжение снижается на 0,052 вольт/град.С на каждый градус превышения.

Корпус и цоколевка

Технические параметры и аналоги транзистора IRFZ24N
Внешний вид и цоколевка IRFZ24N

Выпускается транзистор в корпусе TO-220. Его конструкция считается оптимальной для триодов с рассеиваемой мощностью до 50 ватт.

Аналоги транзистора

Технические параметры и аналоги транзистора IRFZ24N
Транзистором IRF2807 можно заменить IRFZ24N

В качестве аналогов можно использовать зарубежные триоды:

  • IRF1010E;
  • IRF1310N;
  • IRF1405;
  • IRF1407;
  • IRF1607;
  • IRF2805;
  • IRF2807;
  • IRF2907Z;
  • IRF3808;
  • IRF540;
  • IRF3007;
  • IRF3205;
  • IRF3710;
  • IRF3805;
  • IRF640;
  • IRF8010;
  • IRF3305;
  • IRF3315;
  • IRF3415;
  • IRFB260N;
  • IRFB3006;
  • IRFB3077;
  • IRFB3206;
  • IRFB3207;
  • IRFB3307Z;
  • IRFB3607;
  • IRFB3806;
  • IRFB3256;
  • IRFB3306;
  • IRFB3307;
  • IRFB38N20D;
  • IRFB4110.

Они совместимы по корпусу и цоколевке, имеют равные или превосходящие параметры.

Технические параметры и аналоги транзистора IRFZ24N
Преобразователь напряжения автомобильного аккумулятора в переменное сетевое напряжение

Хотя нет принципиальных ограничений на применение IRFZ24N в линейном режиме (например, для усиления сигналов), наиболее полно характеристики прибора раскрываются в ключевом режиме. На этих транзисторах строят ключи для преобразователей DC-DC, как в схеме на рисунке. По такому принципу можно строить также зарядные устройства, инверторы для солнечных батарей, источники бесперебойного питания и другие подобные устройства.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( Пока оценок нет )
Запитка
Добавить комментарий