Технические характеристики и аналоги транзистора 50N06

Полевой транзистор (ПТ) 50N06 относится к кремниевым полупроводниковым приборам с изолированным затвором и индуцированным каналом N-типа. Выпускается ПТ как ведущими (Motorola, Fairchild, Philips), так и малоизвестными производителями.

Особенности транзистора 50N06

Главной особенностью полевого транзистора является то, что он изготовлен по так называемой Trench-технологии (UMOS). Не вдаваясь в технические подробности, следует отметить, что такая технология позволяет на несколько порядков снизить сопротивление канала сток-исток в открытом состоянии. Это в свою очередь позволяет уменьшить мощность, рассеиваемую транзистором при работе, увеличить рабочий ток стока без существенного увеличения габаритов. Кроме того, уменьшение сопротивления канала ведет к снижению потерь напряжения и позволяет применять транзистор в качестве эффективного и экономичного низковольтного ключа.

К особенностям транзистора производитель относит небольшое значение емкости обратного перехода (емкости Миллера), а следовательно, небольшому времени нарастания и спада импульса при переключении.

Технические характеристики и аналоги транзистора 50N06
Отличие структуры обычного (планарного) ПТ и полевого транзистора, построенного по trench-технологии

Параметры полупроводникового триода

Основные характеристики транзистора 50N06 приводятся в datasheet от производителя.

ХарактеристикаЗначениеРазмерность
Максимальные значения (при Т=25 град.С, если не указано иное)
Верхний предел напряжения сток-исток60В
Верхний предел напряжения затвор-сток±20В
Предельный продолжительный ток стока66А
Предельный продолжительный ток стока при Т=+100 град.С50А
Предельный импульсный ток стока250А
Температура пайки300град.С
OFF характеристики
U пробоя сток-истокне менее 60В
Ток утечки по направлению сток-исток1мкА
Ток утечки по направлению сток-исток при Т=100 град.С100мкА
Ток утечки по направлению затвор-исток100нА
Ток утечки по направлению исток-затвор-100нА
ON характеристики
Напряжение отсечки2..4В
Сопротивление канала сток-исток12..18мОм
Динамические характеристики
Крутизна характеристики9,5 (типовое значение)См
Входная емкость2068пФ
Выходная емкость200пФ
Паразитное сопротивление затвора1,4Ом
Характеристики переключения
Время включения14нс
Время нарастания тока при включении13нс
Время отключения20нс
Время спада тока при отключении7,2нс
Параметры паразитного диода
Падение напряжения в открытом состоянии1,1В
Предельно допустимый прямой ток2А

Варианты корпуса, цоколевка и маркировка

Полупроводниковый прибор может выпускаться в различных вариантах корпуса для монтажа true hole и для поверхностного монтажа с тремя выводами:

  1. Затвор (G).
  2. Исток (S).
  3. Сток (D).

Любая разновидность предполагает установку на теплоотводящий радиатор. Им может служить либо металлическая пластина, либо площадка печатной платы (для SMD-исполнения).

Технические характеристики и аналоги транзистора 50N06
Варианты корпусов ПТ и расположение выводов для каждой конструкции

Диод между стоком и истоком является паразитным каналом, возникающим при производстве транзистора. Его наличие надо учитывать при проектировании схем и при тестировании прибора.

Аналоги транзистора

Полным аналогом 50N06 является полевой транзистор IRLZ44N. Отличие только в меньшем разнообразии применяемых корпусов, это может затруднить замену неисправного элемента.

Близки по параметрам следующие ПТ:

  • 2SK2376;
  • 2SK2266;
  • 2SK2312;
  • 2SK2385;
  • IRLR2905;
  • IRF1010.

Но эти варианты имеют определенные отличия в характеристиках. Перед тем, как принять решение о замене, надо изучить условия работы транзистора и сравнить их с данными из даташит.

Применение и практические схемы

Основными направлениями применения, определяемыми производителем в datasheet, являются:

  • коммутация питающего напряжения;
  • мощные ключи в DC-DC преобразователях.

В качестве примера приведена схема импульсной регулировки яркости ламп. Здесь транзистор 50N06 применяется в качестве ключа. Так как в открытом состоянии он имеет сопротивление, сравнимое с сопротивлением подключающих проводов, то излишнего падения напряжения на силовом канале не происходит, что в низковольтной сети имеет существенное значение. При необходимости можно заставить лампу гореть с максимальной яркостью, а высокая нагрузочная способность транзистора позволит в дальнейшем не задумываться о мощности применяемых ламп.

Технические характеристики и аналоги транзистора 50N06
Схема регулируемой подсветки приборной панели автомобиля

Другой пример – импульсный преобразователь напряжения для создания индукционного нагревателя. Здесь транзисторы используются в составе автогенератора и одновременно как мощные ключи. За счет низкого падения напряжения в открытом состоянии преобразователь имеет повышенный КПД, а высокая нагрузочная способность силового канала позволяет получить мощные импульсы тока через первичную обмотку трансформатора. Хорошие частотные свойства транзистора в этой схеме тоже окажутся нелишними.

Технические характеристики и аналоги транзистора 50N06
Схема индукционного нагревателя с силовыми ключами на 50N06

Приведенные схемы — примеры применения транзистора, в которых его свойства используются наилучшим образом. 50N06 можно применять и для других целей, главное – чтобы параметры вписывались в условия, существующие в схеме.

Фото аватара
Становой Алексей

Инженер-электроник. Работаю в мастерской по ремонту бытовых приборов. Увлекаюсь схемотехникой.

Оцените автора
( 1 оценка, среднее 5 из 5 )
Запитка
Добавить комментарий