Полупроводниковый триод MJE13007 (13007) принадлежит к классу мощных биполярных кремниевых переключающих транзисторов структуры NPN. В качестве комплементарной пары рекомендуются элементы линейки MJE5850..MJE5852.
Особенности транзистора 13007
К основным особенностям транзистора можно отнести возможность работы с высокими напряжениями и большими токами. При этом триод обладает хорошей скоростью переключения и небольшим напряжением насыщения коллектор-эмиттер. Все эти параметры определяют область применения прибора. Это импульсные сетевые источники питания, драйверы энергосберегающих ламп, а также управление соленоидами, электродвигателями и прочей высоковольтной нагрузкой — транзистор разработан для использования в ключевом режиме.
Также к особенностям триода относят экологические характеристики (отсутствие свинца и т.п.), но это относится большей частью к специфике корпуса прибора.
Параметры полупроводникового прибора
Характеристики транзистора 13007 , приведенные в таблице, соответствуют температуре окружающей среды +25 градусов. Если условия тестирования иные, даются отдельные указания.
| Предельные характеристики | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Параметр | Значение | Размерность | |||
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) | 400 | вольт DC | |||
| Пробивная разность потенциалов коллектор-база (Vces) | 700 | вольт DC | |||
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) | 9 | вольт DC | |||
| Ток коллектора | 8 (продолжительный, Ic) | ампер DC | |||
| 16 (импульсный, Icm) | |||||
| Ток эмиттера | 12 (продолжительный, Ie) | ампер DC | |||
| 24 (импульсный, Iem) | |||||
| Ток базы | 4 (продолжительный, Ib) | ампер DC | |||
| 8 (импульсный, Ibm) | |||||
| Мощность, рассеиваемая на коллекторе при температуре корпуса +25 град.С | 80 | ватт | |||
| Диапазон хранения и эксплуатации (Tj, Tstg) | минус 65..+150 | град.С | |||
| ON characteristics | |||||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия тестирования | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | до 1 | вольт DC | Ic=2 Adc, Ib=0,4 Adc | ||
| до 2 | вольт DC | Ic=5 Adc, Ib=1 Adc | |||
| до 3 | вольт DC | Ic=8 Adc, Ib=2 Adc | |||
| до 3 | вольт DC | Ic=5 Adc, Ib=1 Adc, Tкорпуса=100 град.С | |||
| Напряжение насыщения база-эмиттер (Vbe(sat)) | в пределах 1,2 | вольт DC | Ic=2 Adc, Ib=0,4 Adc | ||
| в пределах 1,6 | вольт DC | Ic=5 Adc, Ib=1 Adc | |||
| в пределах 1,5 | вольт DC | Ic=5 Adc,
Ib=1 Adc, Tкорпуса=100 град.С |
|||
| Статический коэффициент передачи тока | 8..40 | Ic=2 Adc, Vce=5 Vdc | |||
| 5..30 | Ic=5 Adc, Vce=5 Vdc | ||||
| OFF characteristics | |||||
| Выдерживаемая разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo(sus)) | не менее 400 | вольт DC | Ic=10 mAdc,
Ib=0 |
||
| Обратный ток коллектора (Ices) | не более 0,1 | mAdc | Vces=700 Vdc | ||
| не более 1,0 | mAdc | Vces=700 Vdc, Tкорпуса=+125 град.С | |||
| Обратный ток эмиттера (Iebo) | Veb=9 Vdc, Ic=0 | ||||
| Динамические характеристики | |||||
| Выходная емкость (Cob) | 80 (типовое значение) | пикофарад | Vcb=10 Vdc, Ie=0, f=1 МГц | ||
| Предельная рабочая частота | не менее 4 | мегагерц | |||
| Характеристики переключения при резистивной нагрузке | |||||
| Время задержки включения (td) | не более 0,1 (типовое 0,025) | микросекунд | Vcc=125 Vdc, Ic=5 А, Ib11=Ib2=1 А | ||
| Время нарастания тока (tr) | не более 1,5 (типовое 0,5) | ||||
| Время задержки выключения (ts) | не более 3 (типовое 1,8) | ||||
| Время спада тока (tf) | не более 0,7 (типовое 0,023) | ||||
| Характеристики переключения при индуктивной нагрузке | |||||
| Время задержки выключения(tsv) | не более 2 (типовое 1,2) | микросекунд | Tкорп=+25 град. | Vcc=15 Vdc, Ic=5 A, Vclamp=300 Vdc, Ib(on)=1 F, Ib(off)=2,5 A, Lc=200 uH | |
| не более 3 (типовое 1,6) | Tкорп=+100 град.C | ||||
| Время переключения (tc) | до 0,3 (типовое 0,15) | Tкорп=+25 град. C | |||
| до 0,5 (типовое 0,21) | Tкорп=+100 град.C | ||||
| Время спада тока (tfi) | до 0,12 (типовое 0,04) | Tкорп=+25 град. C | |||
| до 0,2 (типовое 0,1) | Tкорп=+100 град.C | ||||
При температуре корпуса выше +25 град.С, предельная рассеиваемая мощность снижается на 0,64 ватта на каждый градус превышения. Остальные температурные зависимости в виде графиков можно найти в datasheet.
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в корпусе TO-220AB, хорошо приспособленном для отвода тепла от внутренних структур триода. Корпус имеет три вывода (база, коллектор, эмиттер) и предназначен для установки на внешний теплоотвод. Теплоотводящая пластина электрически соединена с коллектором.
Это означает, что при установке на радиатор надо принять меры по электрической изоляции триода и крепящего винта от теплоотвода посредством теплопроводящих прокладок (из слюды или керамики).
Аналоги и варианты замены
При подборе прибора на замену, надо иметь в виду, что различные производители могут по-разному маркировать транзистор, добавляя к цифровому индексу различные сочетания букв. Так, перечисленные элементы являются, по сути, одним и тем же триодом (репликой) с различной маркировкой:
- ST13007;
- J13007;
- 3DD1307;
- TE13007;
- E13007;
- KSE13007.
Они являются безоговорочными аналогами по заявленным характеристикам, корпусу и цоколевке. Другие зарубежные элементы могут быть применены во многих случаях в качестве замены:
- BUJ105A;
- 2SC2335;
- 2SC2553;
- MJE15020;
- MJE13009;
- MJE13006.
Но эти триоды имеют небольшие отличия в параметрах. По этой причине в каждом конкретном случае надо изучать даташит, а потом принимать решение о возможности замены.
Существует и отечественный аналог — это КТ8126А. Точнее, 13007 является прототипом этого элемента.
В целом же триод 13007 является недорогим современным переключающим транзистором. Он занимает обширную нишу в этой сфере применения.
