Полупроводниковый триод S8050 (SS8050) относится к категории биполярных кремниевых транзисторов средней мощности, выполненных по структуре NPN. В качестве комплементарной пары рекомендуется элемент S8550 обратной структуры.
Особенности транзистора S8050
К особенностям транзистора S8050 в первую очередь надо отнести высокие значения тока коллектора и рассеиваемой мощности. Эти параметры не характерны для триодов в миниатюрном корпусе TO-92. Очевидно, что при упаковке в иной кейс, например, TO-126 (аналог отечественного КТ-27), с более эффективным теплоотводом, мощностные характеристики удалось бы значительно улучшить. Однако разработчики пожертвовали этой возможностью, очевидно, в пользу миниатюрности габаритов.
Производитель в разделе Features в даташите не оговаривает еще одно достоинство транзистора – неплохую линейность статического коэффициента передачи тока в большом диапазоне изменения тока коллектора. Однако в datasheet приводится график зависимости h21э от Ic, из которого эта линейность вполне очевидна.
Параметры SS8050
Характеристики транзистора SS8050, размещенные в таблице, соответствуют температуре окружающей среды +25 град.С. Если условия замеров отличались, это оговаривается отдельно.
| Предельные параметры | |||
|---|---|---|---|
| Характеристика | Значение | Размерность | |
| Разность потенциалов коллектор-эмиттер (Vceo) | 25 | вольт | |
| Разность потенциалов коллектор-база (Vcbo) | 40 | вольт | |
| Разность потенциалов эмиттер-база (Vebo) | 6 | вольт | |
| Ток коллектора (Ic) | 1,5 | ампер | |
| Расеиваемая мощность коллектора (Pс) | 1 | ватт | |
| Температура перехода Tj | 150 | град.С | |
| Электрические характеристики | |||
| Параметр | Значение | Размерность | Условия измерения |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVcbo) | не менее 40 | вольт | Ic=100 мкА,
Ie=0 |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVceo) | не менее 25 | вольт | Ic=2 мА,
Ib=0 |
| Пробивная разность потенциалов коллектор-эмиттер (BVebo) | не менее 6 | вольт | Ie=100 мкА,
Ic=0 |
| Ток утечки коллектора при нулевом токе эмиттера (Icbo) | не более 100 | наноампер | Vcb=35 В,
Ie=0 |
| Ток утечки эмиттера (Iebo) | не более 100 | наноампер | Veb=6 В,
Iс=0 |
| Ток утечки коллектора при нулевом токе базы (Iceo) | наноампер | Vce=20 В,
Ib=0 |
|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | не более 0,5 (типовое значение 0,28) | вольт | Iс=800 мА,
Ib=80 мА |
| Падение напряжения на эмиттерном переходе Vbe(on) | не более 1 (типовое значение 0,66) | вольт | Vce=1 В,
Iс=10 мА |
| Выходная емкость | 9 (типовое значение) | пикофарад | Vcb=10 В,
Ie=0, f=1 МГц |
| Частота единичного усиления | не менее 100 (типовое значение 190) | мегагерц | Vce=10 В,
Iс=50 мА |
При повышении температуры окружающей среды выше +25 град.С, допустимая рассеиваемая мощность уменьшается на 8 милливатт на каждый градус превышения.
По статическому коэффициенту передачи тока производится заводская разбраковка транзисторов. По ее результатам триодам присваивается дополнительный буквенный индекс.
| hFE | B | C | D |
| Буквенный индекс | 85~160 | 120~200 | 160~300 |
Модификации, варианты корпуса, цоколевка и маркировка
Триод SS8050 встречается в двух вариантах исполнения:
- выводной корпус TO-92 для монтажа through hole;
- кейс SOT-23 для поверхностного монтажа.
Оба варианта содержат три вывода, характерных для биполярных триодов (базу, коллектор и эмиттер). У выводного варианта выводы проволочные гибкие, у SMD-модификации – жесткие площадки.
У корпуса для поверхностного монтажа условия для отвода тепла от внутренних структур менее эффективные. По этой причине предельная рассеиваемая мощность коллектора у транзистора в таком исполнении снижена в три раза – 0,3 ватта против 1 ватта у триода в выводной модификации. Остальные параметры, включая ток коллектора, у обоих исполнений аналогичные.
Транзистор в выводном корпусе маркируется полным или сокращенным названием прибора. Для SMD-исполнения чаще применяется обозначение J3Y, но у некоторых производителей кодировка может быть иной.
Варианты замены
Относительно прямой заменой для SS8050 может служить транзистор MPSW01AG. Он способен рассеивать равную мощность, способен работать при более высоких напряжениях, но предельный ток коллектора у него составляет всего лишь 1 ампер против 1,5 у S8050.
Еще меньше ток коллектора допускается у близких зарубежных аналогов:
Однако во многих случаях подойдут и они – надо лишь изучить даташит и условия работы заменяемого триода. Эти транзисторы выпускаются в корпусе TO-92, но распиновка у них может отличаться.
Полным российским аналогом SS8050 считается КТ698В, допускающий ток коллектора до 2 ампер. Можно применять более доступный КТ815, но он в другом корпусе. Если SS8050 в конкретной схеме работает в облегченном режиме, могут подойти отечественные приборы КТ3102, КТ502 или даже КТ315 (КТ312).
Триод SS8050 определен разработчиком для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты компактной радиоаппаратуры (выход для наушников или небольших динамиков). В паре с S8550 можно строить довольно мощные каскады по двухтактному принципу. Но нет никаких принципиальных ограничений по другому применению прибора, характерному для биполярных транзисторов (в ключевом или линейном режиме). Главное – не выходить за пределы характеристик.
